公开(公告)号：CN107833921B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201710665659.2

申请日：2017-08-07

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 黑川雄斗 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及开关器件和制造开关器件的方法。开关器件包括半导体衬底；第一沟槽和第二沟槽；栅极绝缘层；和栅极电极。半导体衬底包括在延伸到第一沟槽和第二沟槽的底表面的区域中布置的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的第二半导体区、第二导电类型的第一底部半导体区和第二底部半导体区，以及从第一沟槽在从本体区的下端的深度到第一沟槽和第二沟槽的底表面的深度的深度范围内延伸以到达第二沟槽的第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且被连接到所述本体区以及所述第一底部半导体区和所述第二底部半导体区。

公开(公告)号：CN107833921A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710665659.2

申请日：2017-08-07

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 黑川雄斗 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666

摘要： 本发明涉及开关器件和制造开关器件的方法。开关器件包括半导体衬底；第一沟槽和第二沟槽；栅极绝缘层；和栅极电极。半导体衬底包括在延伸到第一沟槽和第二沟槽的底表面的区域中布置的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的第二半导体区、第二导电类型的第一底部半导体区和第二底部半导体区，以及从第一沟槽在从本体区的下端的深度到第一沟槽和第二沟槽的底表面的深度的深度范围内延伸以到达第二沟槽的第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且被连接到所述本体区以及所述第一底部半导体区和所述第二底部半导体区。

公开(公告)号：CN105506745A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510640718.1

申请日：2015-09-30

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 黑川雄斗

IPC分类号： C30B33/04 ,  C30B29/20

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/355 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  C30B33/04 ,  C30B29/20

摘要： 本发明涉及一种准确控制基板的翘曲的半导体装置的制造方法。基板的制造方法包括：第一工序，通过向单晶基板照射激光或带电粒子束，并且以所述单晶基板的表面上的照射区域的轨迹成为直线的条纹状的方式而使所述照射区域相对于所述单晶基板进行移动，从而沿着所述轨迹而形成非晶区域，所述第一工序以所述直线的朝向不同的方式而被实施多次，通过所述第一工序被实施多次，从而使所述单晶基板的翘曲发生变化，被实施多次的所述第一工序的各次中的所述直线全部不平行于与所述表面平行的平面内的所述单晶基板的晶轴的方向。

公开(公告)号：CN105506745B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510640718.1

申请日：2015-09-30

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 黑川雄斗

IPC分类号： C30B33/04 ,  C30B29/20

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/355 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明涉及一种准确控制基板的翘曲的半导体装置的制造方法。基板的制造方法包括：第一工序，通过向单晶基板照射激光或带电粒子束，并且以所述单晶基板的表面上的照射区域的轨迹成为直线的条纹状的方式而使所述照射区域相对于所述单晶基板进行移动，从而沿着所述轨迹而形成非晶区域，所述第一工序以所述直线的朝向不同的方式而被实施多次，通过所述第一工序被实施多次，从而使所述单晶基板的翘曲发生变化，被实施多次的所述第一工序的各次中的所述直线全部不平行于与所述表面平行的平面内的所述单晶基板的晶轴的方向。

公开(公告)号：CN109755294A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811309013.1

申请日：2018-11-05

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 黑川雄斗 ,  伊藤孝浩 ,  渡边行彦 ,  海老原康裕

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种能够抑制电场集中并且导通电阻较低的开关元件及其制造方法。一种开关元件的制造方法，其具有：在半导体基板的上表面上形成平行地延伸的多个沟槽的工序；将具有遮挡部和开口部的掩膜，以所述遮挡部和所述开口部沿着各所述沟槽的长边方向被反复地配置在各所述沟槽上的方式而形成的工序；通过经由所述掩膜而向各所述沟槽的底面注入p型杂质，从而形成多个底部p型区域的工序。

公开(公告)号：CN104718623A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201280076428.3

申请日：2012-10-15

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 黑川雄斗

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 本说明书所公开的半导体装置具备：半导体基板；多个沟槽栅，其在第一方向上延伸，并且在与第一方向正交的第二方向上以隔开间隔的方式而配置。多个沟槽栅具有：第一部分，其在半导体基板的表面上开口；第二部分，其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的正方向倾斜的方向上延伸；第三部分，其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的负方向倾斜的方向上延伸。