绝缘子表面污秽程度测量方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN108693195B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201810482720.4

    申请日:2018-05-18

    Abstract: 本申请提供一种绝缘子表面污秽程度测量方法、装置及系统,通过红外热像法利用绝缘子表面污秽积累分布的不均匀性造成的热物理性质差异带来的相应表面区域的温度变化差异来判断绝缘子表面污秽程度以及分布情况,能够实现对绝缘子表面污秽的在线监测,有利于实现对绝缘子绝缘状况的实时监测,进而在危害出现之前采取必要的措施,此外,目前实验室内进行污闪得一系列研究皆为在绝缘子表面涂污均匀人工污秽,所得试验结果与实际运行绝缘子数据差异较大,根据红外热像测量方法得到的绝缘子表面污秽分布情况指导实验室人工污秽试验,能够在人工污秽于自然污秽之间建立联系,得到能够适用于实际运行绝缘子上污闪规律的数据。

    绝缘子表面污秽程度测量方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN108693195A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810482720.4

    申请日:2018-05-18

    CPC classification number: G01N21/94 G01N21/35

    Abstract: 本申请提供一种绝缘子表面污秽程度测量方法、装置及系统,通过红外热像法利用绝缘子表面污秽积累分布的不均匀性造成的热物理性质差异带来的相应表面区域的温度变化差异来判断绝缘子表面污秽程度以及分布情况,能够实现对绝缘子表面污秽的在线监测,有利于实现对绝缘子绝缘状况的实时监测,进而在危害出现之前采取必要的措施,此外,目前实验室内进行污闪得一系列研究皆为在绝缘子表面涂污均匀人工污秽,所得试验结果与实际运行绝缘子数据差异较大,根据红外热像测量方法得到的绝缘子表面污秽分布情况指导实验室人工污秽试验,能够在人工污秽于自然污秽之间建立联系,得到能够适用于实际运行绝缘子上污闪规律的数据。

    高凝露地区瓷套VFTO闪络特性下降率试验装置及方法

    公开(公告)号:CN108957265B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201810980626.1

    申请日:2018-08-27

    Abstract: 本申请实施例公开了一种高凝露地区瓷套VFTO闪络特性下降率试验装置及方法,包括:信号发生控制器、VFTO发生装置和气候模拟装置,其中:信号发生控制器与VFTO发生装置中VFTO脉冲发生单元的信号输入端电连接,VFTO脉冲发生单元的信号输出端与气候模拟装置相连接;气候模拟装置包括气候模拟箱、瓷套、试验台、湿度传感器、湿度显示器、变压器、调压旋钮、加湿装置、喷雾装置和摄像机。通过在气候模拟装置中设置瓷套并模拟高凝露地区环境,然后通过VFTO发生装置产生VFTO脉冲信号作用于瓷套,作用结束后,调节瓷套上的电压使得瓷套表面发生闪络,获取VFTO闪络特性下降率,结合摄像机拍摄瓷套图像,获得对瓷套的影响。

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