金属有机化合物
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115315428A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202080098775.0

    申请日:2020-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种用于制备通式[M(O)(OR)y]的基本上不含硅(Si)的化合物的方法,其中M=Mo,y=3,或者M=W,y=3或4。此外,本发明涉及通过前述方法获得的化合物并涉及此类获得的化合物的用途。本文所述的本发明的另一个目的是通式MOXy或[MOXy(solv)p]的基本上不含硅的化合物,其使用前述方法制备,其中M=Mo,y=3,或者M=W,y=3或4,X=Cl或Br,solv=经由至少一个供电子原子与M键合或配位的氧化剂Z,p=1或2。本发明还涉及使用前述方法制备的通式MOXy或[MOXy(solv)p]的基本上不含硅的化合物的用途。

    金属有机化合物
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115244062A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202080098135.X

    申请日:2020-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种用于制备符合通式[W(O)(OR)4](I)的氧代(四醇盐)钨化合物的一锅法方法,以WCl6、六甲基二硅醚、一种ROH醇和一种胺或NH3气体为出发点。本发明还涉及化合物[W(O)(OR)4](I)的用途以及一种基材,该基材在一个表面上具有钨层或含有钨的层,其适合用于生产光伏元件、半导体元件或汽车废气催化器。该方法使得能够以简单、成本低廉且能复现的方式方法以高纯度、高至极高的产量来制备所定义的产物。

    有机金属化合物
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112805290A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980065963.0

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明涉及用于从[W(NtBu)2(NHtBu)2]开始制备根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的双(叔丁基酰亚胺基)双(二烷基酰胺基)钨化合物的两阶段合成。本发明还涉及根据受权利要求书保护的方法可获得的根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的化合物、根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的化合物([W(NtBu)2(NMe2)2]和[W(NtBu)2(NEtMe)2]除外)、化合物[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的用途以及在表面上具有钨层或含钨层的衬底。通过所述方法,[W(NtBu)2(NRARB)2](I)型的限定的双(叔丁基酰亚胺基)双(二烷基酰胺基)钨化合物可以容易地、经济地且可再现地以高纯度和良好收率制备。由于其高纯度,所述化合物适于制备具有钨层或含钨层的高质量衬底。

    用于制造半导体元件或电子存储器的有机金属化合物

    公开(公告)号:CN112313240A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201980040227.X

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明涉及符合通式[Ru(芳烃)(Ra‑N=CR1‑CR3=N‑Rb)]或[Ru(芳烃)((Rc,Rd)N‑N=CRH1‑CRH3=N‑N(Re,Rf))]的化合物。在这种情况下,芳烃选自由以下项组成的组:单核和多核芳烃以及杂芳烃。R1、R3、RH1、RH3和Ra‑Rf独立地选自由以下项组成的组:H、烷基基团(C1‑C10)和芳基基团。本发明还涉及用于制备这些化合物的方法、能够根据这些方法获得的化合物、它们的用途以及在其表面上具有钌层或含钌层的衬底。此外,本发明涉及用于制备化合物[Ru(芳烃)X2]2的方法、能够根据该方法获得的该类型的化合物以及它们的用途,其中芳烃选自由以下项组成的组:单核和多核芳烃,并且X=卤素。上述钌(0)化合物可以简单、经济有效和可再现的方式以高纯度和良好收率制备。由于它们的高纯度,它们适合用作钌(0)前体。

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