公开(公告)号：CN102239549B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102239549A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN103403883A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN103403883B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。