公开(公告)号：CN102239549B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102239549A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN101978503B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200980109236.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 杉山正和 ,  霜垣幸浩 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。

公开(公告)号：CN101978503A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109236.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 杉山正和 ,  霜垣幸浩 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。

公开(公告)号：CN107112391A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061116.9

申请日：2015-10-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 后藤明辉 ,  杉山正和 ,  M·玛尼施

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 一种半导体发光元件，该半导体发光元件具有包括第一发光层和第二发光层的发光功能层。所述第一发光层具有：第一基底层，该第一基底层具有多个第一基底区段，所述多个第一基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，并且被分割成随机网状；第一量子阱层，该第一量子阱层保留了所述第一基底区段的区段形状，并且形成在所述第一基底层上；以及第一势垒层，该第一势垒层具有平坦化的平坦表面，所述第一基底层和所述第一量子层被嵌入在所述第一势垒层下方。所述第二发光层具有：第二基底层，所述第二基底层具有从所述第一势垒层接受应力应变的组分，并且具有被划分为随机网状的多个第二基底区段；第二量子阱层，所述第二量子阱层保留了所述第二基底区段的区段形状，并且形成在所述第二基底层上；以及第二势垒层，所述第二势垒层形成在所述第二量子阱层上。

公开(公告)号：CN119072602A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380035871.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  千代田化工建设株式会社 ,  清水建设株式会社

Inventor： 江部广治 ,  杉山正和 ,  松本纯 ,  武田大 ,  大场一哲 ,  桥本伸也 ,  布施幸则 ,  隅仓光博 ,  荒井义人

IPC: F24F8/10 ,  B01D53/02 ,  C07C29/10 ,  C07C31/20 ,  C25B1/04 ,  C25B3/03 ,  C25B3/26 ,  C25B9/00 ,  C25B15/08 ,  F24F8/60

Abstract: 本发明涉及空气调节系统(1)，其具有：从包含二氧化碳的空气中分离所述二氧化碳的一部分或全部的二氧化碳分离装置(20)；将所述分离得到的二氧化碳作为原料而生成烃和氧的电解还原装置(30)；和将电解还原装置(30)中生成得到的所述氧的一部分或全部供给至处理对象空间(10)的氧供给量控制装置(40)。

公开(公告)号：CN107004742B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580060377.9

申请日：2015-10-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 藤原崇子 ,  杉山正和 ,  M·玛尼施

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L51/0082 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0081

Abstract: 一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，所述基底区段被分割成随机网格图案；以及第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状，并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有：第二量子阱结构层，所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层，所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分；以及槽，所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上，保留了所述区段形状。

公开(公告)号：CN102741012B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201180008346.0

申请日：2011-01-31

Applicant: 株式会社藤仓 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 额贺理 ,  寒川诚二 ,  杉山正和

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/384 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  Y10T428/24

Abstract: 在本发明的微细构造的形成方法中，准备具有加工适合值的基板；对上述基板的内部，以接近于上述基板的上述加工适合值的照射强度，将具有皮秒级以下的脉冲时间宽度的激光在由上述激光的传播方向和与上述激光的偏振方向（电场方向）垂直的方向构成的平面内进行照射；在上述激光聚光的焦点以及离该焦点近的区域形成构造改性部；对上述构造改性部选择性地进行蚀刻处理，形成由微细孔构成的微细构造。