公开(公告)号：CN102239549B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102239549A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148632.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN103474354B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN103384917A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。

公开(公告)号：CN103384917B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。

公开(公告)号：CN103098188A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180040410.3

申请日：2011-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第一结晶层、及绝缘层，基底基板、第一结晶层、及绝缘层的位置顺序为基底基板、第一结晶层、绝缘层；第一结晶层是由可准晶格匹配于GaAs或AlGaAs的InxGa1-xAs(0.35≤x≤0.43)构成。第一结晶层是可适用于场效电子晶体管的沟道层，绝缘层是可适用于场效电子晶体管的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN102057489A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121674.4

申请日：2009-08-11

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升 ,  长谷川彰 ,  松室智纪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种使活性层中使用金属氧化物的晶体管的阈值电压稳定的半导体装置，其包括第一金属氧化物层、薄膜电阻的值比所述第一金属氧化物大的第二金属氧化物层、与所述第一金属氧化物层电耦合的一对输入输出电极、和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极，并按照所述控制电极、所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层的顺序被配置。

公开(公告)号：CN102084412A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126164.6

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  福原升 ,  长谷川彰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  G02F2203/01

Abstract: 本发明是提供一种有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(101A)具有透明基板(10)、形成在透明基板上的透明布线(LG、LD、LP、L1、L2等)、覆盖透明布线的至少一部分的透明半导体层(44)、覆盖布线及透明半导体层(44)的至少一部分的透明绝缘膜(40、50)。布线包括在行列方向上以相互交叉的方式延伸的主布线(41的一部分等)、和从该主布线分支而与各像素(101a)中的元件连接的副布线(41的一部分、42、43等)，这些布线利用例如ZTO或ITO等半导体材料来形成。