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公开(公告)号：CN103474354B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN103384917B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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公开(公告)号：CN103548133B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN103548133A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L21/76251
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN103563069A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026103.4
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0605 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102239549B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN102239549A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN103563068B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103563068A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103384917A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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