公开(公告)号：CN105097808A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510240836.3

申请日：2015-05-13

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 卓荣发 ,  陈学深 ,  郭克文 ,  D·P-C·岑

IPC分类号： H01L27/102 ,  H01L21/8229

CPC分类号： H01L27/1027 ,  G11C11/39 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/74 ,  H01L21/8229

摘要： 本发明涉及晶闸管随机存取内存，其中，提出数种用以形成装置的装置及方法。该装置包括：有具第一极性类型之井区的衬底，以及基于晶闸管之记忆单元。该基于晶闸管之记忆单元包括：邻近该井区具第二极性类型之至少一第一区；设置于该衬底上用作为第二字线的栅极；具该第一极性类型之至少一第一层，其系设置成邻近具该第二极性类型之该第一区且邻近该栅极；以及具该第二极性类型之至少一重掺杂第一层，其系设置于具该第一极性类型之该第一层上且邻近该栅极。至少具该第二极性类型之该重掺杂第一层与该栅极的侧面自我对齐。

公开(公告)号：CN103119692B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201180044067.X

申请日：2011-08-09

申请人： 诺发系统公司

发明人： 基思·福克斯 ,  牛冬 ,  乔·沃马克 ,  曼迪亚姆·西里拉姆 ,  乔治·安德鲁·安东内利 ,  巴特·范施拉芬迪克 ,  珍妮弗·奥洛克林

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/8229

摘要： 描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率，该含硅膜还具有在硅衬底上测量的小于或等于4.5埃的绝对粗糙度。

公开(公告)号：CN106030716A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580011020.1

申请日：2015-09-25

申请人： 克劳帕斯科技有限公司

发明人： H·栾 ,  B·贝特曼 ,  V·阿克赛尔拉德 ,  C·程 ,  C·谢瓦利尔

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/411 ,  G11C11/419 ,  G11C11/34 ,  G11C7/12

CPC分类号： H01L27/1104 ,  G11C11/39 ,  G11C11/41 ,  G11C11/411 ,  H01L21/8229 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/1025 ,  H01L27/1027 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1012 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/732 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7455

摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。

公开(公告)号：CN106030713A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010863.X

申请日：2015-09-25

申请人： 克劳帕斯科技有限公司

发明人： H·栾 ,  B·贝特曼 ,  V·阿克赛尔拉德 ,  C·程 ,  C·谢瓦利尔

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： H01L27/1025 ,  G11C11/39 ,  G11C11/41 ,  G11C11/411 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8229 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/1027 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/083 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1012 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7436 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。

公开(公告)号：CN103119692A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180044067.X

申请日：2011-08-09

申请人： 诺发系统公司

发明人： 基思·福克斯 ,  牛冬 ,  乔·沃马克 ,  曼迪亚姆·西里拉姆 ,  乔治·安德鲁·安东内利 ,  巴特·范施拉芬迪克 ,  珍妮弗·奥洛克林

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/8229

摘要： 描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率，该含硅膜还具有在硅衬底上测量的小于或等于4.5埃的绝对粗糙度。