一种半导体功率器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116190442A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202111433944.4

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种半导体功率器件及其制备方法,其中,该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区,所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内,且所述JFET区具有与栅极交叠的部分,所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3,所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区,该JFET区具有与栅极交叠的部分,其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容,从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制。

    一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113410132A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202010179774.0

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法,将碳化硅外延片置于氧化炉,设置氧化炉的氧化温度在阈值范围内对碳化硅外延片进行一定时间的氧化;将含有氧化层的碳化硅外延片在退火气氛中进行退火,避免引入固定电荷,提高了碳化硅外延片与氧化层之间界面的质量,MOSFET阈值电压不会发生漂移,减小对沟道载流子的散射,提高了MOSFET导通能力;本发明中通过惰性气体对含有氧化层的碳化硅外延片进行退火,保证MOSFET阈值电压不受影响;碳化硅外延片在高温下进行氧化和退火,退火过程中的氧化层处于熔融状态或半固体状态,利于碳原子逸出表面,降低碳化硅外延片与氧化层接触面的碳含量,降低了MOSFET的比导通电阻,增强了MOSFET的稳定性。

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