公开(公告)号：CN110246814A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910467609.2

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  林仲康 ,  王亮 ,  赛朝阳 ,  董建军 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。

公开(公告)号：CN110246814B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910467609.2

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  林仲康 ,  王亮 ,  赛朝阳 ,  董建军 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。

公开(公告)号：CN110246765A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910457774.X

申请日：2019-05-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 王亮 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  唐新灵 ,  张喆

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/10 ,  H01L23/29

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装方法及功率芯片封装方法，该功率芯片预封装方法包括：将上垫片、功率芯片和下垫片进行烧结；在绝缘框架中用于与功率芯片的终端和侧面贴合的贴合部上涂覆粘接剂；将烧结后的所述功率芯片放入绝缘框架中，使所述功率芯片的终端和侧面与对应的所述贴合部粘接，并将所述上垫片和所述下垫片暴露在所述绝缘框架外面；对所述粘接剂进行固化。本发明通过提供一种功率芯片预封装方法，将功率芯片终端和侧面与PI框架粘接，从而对芯片的终端与侧面进行保护，提高功率芯片了在测试和组装过程中局部放电的起始电压，避免了功率芯片因打火造成的耐压下降与电压击穿的现象。

公开(公告)号：CN116230611A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111465401.0

申请日：2021-12-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。

公开(公告)号：CN107845617B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201710846539.2

申请日：2017-09-19

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 田丽纷 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/603

摘要： 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。

公开(公告)号：CN108387783B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201711432966.2

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC分类号： G01R27/26

摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

公开(公告)号：CN110211885B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910467610.5

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  石浩 ,  赛朝阳 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN108183090B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201711226416.5

申请日：2017-11-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 王亮 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L21/52

摘要： 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。

公开(公告)号：CN110824321A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911025441.6

申请日：2019-10-25

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐新灵 ,  张喆 ,  林仲康 ,  王亮 ,  李现兵 ,  张朋 ,  韩荣刚 ,  石浩

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，通过分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容；根据包含杂散电容测试电路的等效电路图，计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量；根据电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值；利用IGBT关断瞬态过程，获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系；根据关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。本发明基于IGBT器件的关断瞬态波形，利用瞬态电压变化率和电流变化量，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，为准确评估器件的动态性能，提供可靠的动态数据奠定基础。

公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。