公开(公告)号：CN109216472A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810990583.5

申请日：2018-08-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 和峰 ,  刘钺杨 ,  金锐 ,  温家良 ,  连建红 ,  刘江 ,  董少华 ,  冷国庆 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。

公开(公告)号：CN108897916B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201810547519.X

申请日：2018-05-31

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司

发明人： 陈中圆 ,  李金元 ,  温家良 ,  潘艳 ,  孙帅 ,  张立敏

IPC分类号： G06F30/367

摘要： 本发明提供了一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统，包括根据元胞参数和半导体层级设计图，建立多下级单位并联等效电路模型；根据多下级单位并联等效电路模型，进行半导体层级内下级单位并联的电压、电流、热和力的耦合仿真，得到半导体层级内电压、电流、热和力场分布；将耦合仿真得到的下级单位电流和电压输入电磁场仿真模块，进行仿真得到半导体层级内电磁场分布。与现有技术相比，涵盖从功率开关器件的半导体工艺设计和封装设计等环节领域，保证在硅设计的初期，就可以将功率半导体器件的电压、电流、热、电磁和力场等特征提取出来，建立芯片、器件联合仿真模型，反复优化各层级设计参数，实现芯片与器件整体性能最优，提高器件研发效率。

公开(公告)号：CN108897916A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810547519.X

申请日：2018-05-31

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司

发明人： 陈中圆 ,  李金元 ,  温家良 ,  潘艳 ,  孙帅 ,  张立敏

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明提供了一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统，包括根据元胞参数和半导体层级设计图，建立多下级单位并联等效电路模型；根据多下级单位并联等效电路模型，进行半导体层级内下级单位并联的电压、电流、热和力的耦合仿真，得到半导体层级内电压、电流、热和力场分布；将耦合仿真得到的下级单位电流和电压输入电磁场仿真模块，进行仿真得到半导体层级内电磁场分布。与现有技术相比，涵盖从功率开关器件的半导体工艺设计和封装设计等环节领域，保证在硅设计的初期，就可以将功率半导体器件的电压、电流、热、电磁和力场等特征提取出来，建立芯片、器件联合仿真模型，反复优化各层级设计参数，实现芯片与器件整体性能最优，提高器件研发效率。

公开(公告)号：CN107452790B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201710702108.9

申请日：2017-08-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  金锐 ,  温家良 ,  赵岩 ,  张璧君 ,  解海宁 ,  刘双宇

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。

公开(公告)号：CN108987350B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201810712912.X

申请日：2018-06-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/043 ,  H01L23/22 ,  H01L23/473 ,  H01L21/52

摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。

公开(公告)号：CN108520870A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810338518.4

申请日：2018-04-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L23/48

摘要： 本发明公开了一种功率器件封装结构，该封装结构包括上电极板、功率半导体器件芯片、下电极板，所述功率半导体器件芯片位于所述上电极板和下电极板之间，其特征在于，所述封装结构还包括第一弹性电极片和/或第二弹性电极片，所述第一弹性电极片位于所述上电极板与所述功率半导体器件芯片之间，所述第二弹性电极片位于所述下电极板与所述功率半导体器件芯片之间。该封装结构有效缓解了零部件加工公差带来的应力集中问题，在保证导电良好的前提下能够减小封装结构中芯片的受力，有效提高功率器件封装的可靠性；同时由于该弹性电极片是由弹性导电擦了或其他具有良好弹性和导电性的材料制成，还能提高对芯片的导热作用。

公开(公告)号：CN108063165A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711061906.4

申请日：2017-11-02

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 金锐 ,  崔磊 ,  吴郁 ,  何紫东 ,  潘艳 ,  赵岩 ,  温家良 ,  徐向前 ,  高明超 ,  冷国庆 ,  刘江 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  董少华

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了二极管及其制造方法，其中所述二极管包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第二半导体区域的表面与所述第一半导体区域的表面齐平，所述第二半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；其中，所述第二半导体区域的所述表面内形成有至少一个凹陷区域，所述凹陷区域为绝缘材料。本发明实施例所提供的二极管能够在降低表面温度的同时缩短横向电阻区的长度，从而减小二极管的尺寸。

公开(公告)号：CN107658260A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710674475.2

申请日：2017-08-08

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  李立 ,  王耀华 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76237

摘要： 本发明提供了一种在基板上形成绝缘沟槽方法及半导体器件，其中，方法包括：在基板表面待形成所述绝缘沟槽的区域中形成绝缘层，可以作为绝缘沟槽的底部，具体的厚度可以根据器件类型和使用要求进行相应的调整，在基板表面行成绝缘层比较容易实现，而且厚度和区域范围比较容易控制，再在基板形成外延层，外延层的结构可以根据半导体器件类型决定，再在外延层上形成开口暴露出绝缘层，由此可以形成绝缘沟槽，相较于现有技术，不仅可以实现控制沟槽底部的绝缘层底部厚度，改善电场分布，实现不需要额外的设备和工艺，实现过程以及实现工艺简单。

公开(公告)号：CN107464835A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710530888.3

申请日：2017-07-03

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杜文芳 ,  章文红 ,  蒲奎 ,  曾军 ,  穆罕默德·达尔维什 ,  王耀华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构，该终端结构包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中；槽体，位于半导体衬底的上表面中，槽体中填充介质；槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明，可在更短的距离内承受高电压，从而减小终端结构的面积，且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压，并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。

公开(公告)号：CN106771947B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201611060556.5

申请日：2016-11-25

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王鹏 ,  潘艳 ,  李金元 ,  温家良 ,  陈中圆 ,  吴鹏飞 ,  涂浩 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种用于IGBT浪涌电流的检测电路及其检测方法，其检测电路包括：充电回路和放电回路；充电回路包括：串联的高压充电单元、充电开关和储能电容；放电回路包括：串联的辅助IGBT、负载电感和放电开关；其中，充电开关和放电开关相连，高压充电单元分别与储能电容和辅助IGBT连接。本发明提供的技术方案中设置的辅助IGBT和时序控制切换实现了对IGBT耐受能力的检测及分断浪涌电流能力的检测，为验证IGBT是否满足直流断路器这一特殊工况提供了可行的模拟方法。