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公开(公告)号：CN108288483A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810018183.8
申请日：2018-01-09
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明为一种非易失性存储器，具有一第一存储单元，包括多个晶体管与一电容器。第一晶体管，具有一第一栅极、一第一端与一第二端。第二晶体管，具有一第二栅极、一第三端与一第四端。第三晶体管，具有一第三栅极、一第五端与一第六端。第四晶体管，具有一第四栅极、一第七端与一第八端。第五晶体管，具有一第五栅极、一第九端与一第十端。电容器，连接于该第三栅极与一控制线之间。该第三栅极为一浮动栅极。该第二端连接至该第三端，该第四端连接至该第五端，该第六端连接至该第七端，该第八端连接至该第九端。
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公开(公告)号：CN105261618A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410240483.2
申请日：2014-05-30
Applicant: 力旺电子股份有限公司
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明公开了一种非挥发性存储器单元，包含耦合组件、第一选择晶体管、第二选择晶体管、第一浮接栅极晶体管及第二浮接栅极晶体管。耦合组件是形成于第一导电区域内。第一选择晶体管，与第一浮接栅极晶体管及第二选择晶体管串接，而第一选择晶体管、第一浮接栅极晶体管及第二选择晶体管是于第二导电区域内形成。第二浮接栅极晶体管是于第三导电区域内形成，而第一导电区域、第二导电区域及第三导电区域是于第四导电区域内形成。第一导电区域、第二导电区域及第三导电区域为井，而第四导电区域为深井。
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公开(公告)号：CN112490238A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010933847.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且设置在第二栅极结构下方。
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公开(公告)号：CN108320772B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710290037.6
申请日：2017-04-27
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储单元包括读取选择晶体管、第一浮接栅极晶体管、写入选择晶体管、第二浮接栅极晶体管及共同浮接栅极。共同浮接栅极耦接于第一浮接栅极晶体管及第二浮接栅极晶体管。存储单元利用第二浮接栅极晶体管上方的共同浮接栅极进行写入及清除操作，并通过第一浮接栅极及读取选择晶体管进行读取操作。
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公开(公告)号：CN107017023A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710040607.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储阵列，包括多个存储分页，每一存储分页包括多个存储单元，每一存储单元包括浮接栅极模块、控制组件及清除组件。浮接栅极模块设置于第一井区、清除组件设置于第二井区，而控制组件设置于第三井区。第一井区、第二井区及第三井区设置于相同的深参杂区，且多个存储分页中的存储单元都设置于相同的深参杂区。因此，深参杂区之间的隔离空间规则就不会造成存储阵列的面积限制，使得存储阵列的面积能够降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490238B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010933847.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且设置在第二栅极结构下方。
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公开(公告)号：CN106571161B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610076550.0
申请日：2016-02-03
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储阵列，存储阵列包括第一存储器分页及第二存储器分页。第一存储器分页包括第一字符线、第一选择栅极线、第一控制线、第一清除线及多个第一存储器单元。每一第一存储器单元耦接于第一字符线、第一选择栅极线、第一控制线及第一清除线，并可接收位线信号及源极线信号。第二存储器分页包括第二控制线、第二清除线及多个第二存储器单元。每一第二存储器单元耦接于第一字符线、第一选择栅极线、第二控制线及第二清除线，并可接收位线信号及源极线信号。
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公开(公告)号：CN106571161A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610076550.0
申请日：2016-02-03
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储阵列，存储阵列包括第一存储器分页及第二存储器分页。第一存储器分页包括第一字符线、第一选择栅极线、第一控制线、第一清除线及多个第一存储器单元。每一第一存储器单元耦接于第一字符线、第一选择栅极线、第一控制线及第一清除线，并可接收位线信号及源极线信号。第二存储器分页包括第二控制线、第二清除线及多个第二存储器单元。每一第二存储器单元耦接于第一字符线、第一选择栅极线、第二控制线及第二清除线，并可接收位线信号及源极线信号。
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公开(公告)号：CN102915763A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210147687.2
申请日：2012-05-11
Applicant: 力旺电子股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种闪存装置，包括多个存储单元及多个写入控制电压产生器。其中各存储单元通过控制端点接收写入控制电压，并依据写入控制电压以执行数据写入的操作。其中各写入控制电压产生器包括预充电压传送器及升压电容。这些预充电压传送器并依据预充驱动信号在第一时间周期提供预充电压至对应的存储单元的控制端点。推升电压在第二时间周期被提供至升压电容，并在存储单元的控制端点上产生写入控制电压。
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公开(公告)号：CN110649029B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910384579.9
申请日：2019-05-09
Applicant: 力旺电子股份有限公司
IPC: H01L27/11524 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种多次编程的非挥发性存储器，其包括：一选择晶体管、一浮动栅晶体管与一抹除栅元件。选择晶体管连接至一选择线与一源极线。浮动栅晶体管具有一浮动栅极，且浮动栅晶体管连接至选择晶体管。抹除栅元件，具有该浮动栅极、一栅极氧化层以及一p型区。该抹除栅元件连接至抹除线，且该抹除栅元件的该浮动栅极中至少包括一部分的n型浮动栅极。
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