公开(公告)号：CN102484142A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037329.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。

公开(公告)号：CN102484047A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037288.X

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。

公开(公告)号：CN102473799A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031095.3

申请日：2010-07-09

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 罗伯特·M·法雷尔 ,  马修·T·哈迪 ,  太田裕朗 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2031

Abstract: 一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。

公开(公告)号：CN102598270A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049850.0

申请日：2010-11-03

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 丹尼尔·B·汤普森 ,  雅各布·J·理查森 ,  英格丽德·科斯洛 ,  河俊硕 ,  弗雷德里克·F·兰格 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明涉及基于III-氮化物的高亮度发光二极管LED，其包括多个由氧化锌ZnO层覆盖的表面，其中所述ZnO层是在低温水性溶液中生长且各自具有(0001)c-定向和为(0001)平面的顶部表面。

公开(公告)号：CN1894771B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200380110999.5

申请日：2003-12-11

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 迈克尔·D·科雷文 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开一种制作非极性a-平面GaN/(Al，B，In，Ga)N多量子阱(MQW)的方法。a-平面MQW通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在适当的GaN/蓝宝石模板层上生长，阱宽度范围介于20至70之间。来自a-平面MQW的室温光致发光(PL)发射能量遵循一使用自相容泊松薛定谔(self-consistent Poisson-Schrodinger，SCPS)计算来建模的方阱趋势。在a-平面MQW的量子阱宽度为52时获得最佳PL发射强度。

公开(公告)号：CN1894771A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200380110999.5

申请日：2003-12-11

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 迈克尔·D·科雷文 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开一种制作非极性a－平面GaN/(Al，B，In，Ga)N多量子阱(MQW)的方法。a－平面MQW通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在适当的GaN/蓝宝石模板层上生长，阱宽度范围介于20至70之间。来自a－平面MQW的室温光致发光(PL)发射能量遵循一使用自相容泊松薛定谔(self－consistent Poisson－Schrodinger，SCPS)计算来建模的方阱趋势。在a－平面MQW的量子阱宽度为52时获得最佳PL发射强度。