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公开(公告)号：CN103744014B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310724722.7
申请日：2013-12-24
申请人： 北京微电子技术研究所 , 中国运载火箭技术研究院
IPC分类号： G01R31/3181
摘要： 本发明提供了一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法，该试验系统包括上位机、电流监测采集板和测试板；电流监控采集板包括电流监控采集FPGA、电流采集单元、供电模块和第一通信接口；测试板包括控制处理FPGA、刷新芯片、SRAM、配置PROM、存储PROM、第二通信接口及被测FPGA；上位机负责流程控制和数据处理；电流监控采集板负责测试板的上电、断电和监测测试FPGA电流；测试板负责处理上位机发送的命令并进行单粒子翻转、单粒子功能中断检测等工作。本发明使用刷新芯片代替现有辐照试验系统中的部分重配模块，可以更方便可靠地对被测芯片进行刷新；且本发明能够实现对触发器进行静态和动态翻转测试，结合两种方法可以得到更可靠的触发器翻转数据。
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公开(公告)号：CN103744014A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310724722.7
申请日：2013-12-24
申请人： 北京微电子技术研究所 , 中国运载火箭技术研究院
IPC分类号： G01R31/3181
摘要： 本发明提供了一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法，该试验系统包括上位机、电流监测采集板和测试板；电流监控采集板包括电流监控采集FPGA、电流采集单元、供电模块和第一通信接口；测试板包括控制处理FPGA、刷新芯片、SRAM、配置PROM、存储PROM、第二通信接口及被测FPGA；上位机负责流程控制和数据处理；电流监控采集板负责测试板的上电、断电和监测测试FPGA电流；测试板负责处理上位机发送的命令并进行单粒子翻转、单粒子功能中断检测等工作。本发明使用刷新芯片代替现有辐照试验系统中的部分重配模块，可以更方便可靠地对被测芯片进行刷新；且本发明能够实现对触发器进行静态和动态翻转测试，结合两种方法可以得到更可靠的触发器翻转数据。
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公开(公告)号：CN118748028A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410770393.8
申请日：2024-06-14
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN114187941B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN116131814A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211493609.8
申请日：2022-11-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的电源供电，并进行版图加固设计。整体电路采用晶体管堆叠结构，提高触发器抗瞬时剂量率辐射的能力。本发明的设计基于商用规则，可操作性强，易实现。
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公开(公告)号：CN110676252B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910865159.2
申请日：2019-09-12
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092
摘要： 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。
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公开(公告)号：CN114187941A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN112951302A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110134691.4
申请日：2021-02-01
申请人： 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 本发明提供了一种非易失性存储单元、存储器及设备，包括数据写入模块、第一节点、第二节点、上拉网络、下拉网络和暂存模块；所述数据写入模块分别与所述第一节点和所述第二节点连接，用于分别向所述第一节点和所述第二节点写入第一电平和第二电平；所述上拉网络和所述下拉网络用于保持所述第一节点和所述第二节点的电平；所述暂存模块包括第一磁性存储单元、第二磁性存储单元和加固电路，本发明可以有效避免非易失存储在数据存储和数据备份过程受到SEU干扰，从而提高非易失性存储单元的抗辐射性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN105610441B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510981634.4
申请日：2015-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03M1/06
摘要： 一种发射型数模转换器直流失调的电流补偿系统，包括偏置电路、电流源粗调电路、电流源细调电路以及电流沉电路；偏置电路提供偏置电压，电流沉电路从发射型数模转换器的电流输出端抽取电流，电流源粗调电路产生32路相同的电流，其总和与电流沉电路抽取的电流值相等，根据粗调控制信号选择前N路电流输出给发射型数模转换器，将第N+1路电流输出给电流源细调电路，电流源细调电路将第N+1路电流分为6路32份，根据细调控制信号选择某一路或某几路电流输出给发射型数模转换器，本发明根据发射型数模转换器的直流失调灵活地提供补偿电流，同时提高了输出电流的精确度，且精度可控。
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公开(公告)号：CN105609504B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510993638.4
申请日：2015-12-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/11
摘要： 一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构，包括阱隔离区域(201)、(202)、(203)，DICE单元区域(101)、(103)、(105)、(107)，DICE单元(102)、(104)、(106)、(108)。阱隔离区域交叉布局在两个DICE单元区域中间。本发明与现有的技术相比，在有效地分离DICE存储单元结构中的所有敏感节点对的同时，进一步增加了敏感节点对间的距离，阱隔离结构还有利于减小敏感节点对间的寄生双极型晶体管效应和电荷共享效应，大大抑制了DICE单元中由SEU引起的多节点翻转，大幅度提高了抗辐射SRAM的抗SEU性能。
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