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公开(公告)号：CN117784585A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311685235.4
申请日：2023-12-08
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G05B11/42
摘要： 本发明公开了一种四旋翼无人机的手抛起飞控制方法，无人机在飞手解锁抛出后能自动识别是否脱手，并在确认脱手后启动电机；在垂直方向加入爬升速度前馈补偿使无人机通过快速增大升力克服重力；同时基于高度‑速度环PID串级控制器调整无人机的高度，并为了减小高度过冲在无人机临近目标高度后使爬升速度前馈补偿量随时间递减。本发明解决了四旋翼无人机必须在平地才能起飞的飞行限制，并在飞手抛出后能快速实现高度稳定，拓展了四旋翼无人机的应用场景。
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公开(公告)号：CN114187935B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406637.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。
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公开(公告)号：CN118748028A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410770393.8
申请日：2024-06-14
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN114187941B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN114187941A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN116863976A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310637654.4
申请日：2023-05-31
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。
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公开(公告)号：CN114187935A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406637.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。
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公开(公告)号：CN118367639A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410418799.X
申请日：2024-04-09
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明属于直流电源技术领域，具体涉及了一种具备健康管理功能的电源系统，旨在解决电源系统电路结构复杂，成本高的问题。电源系统包括：包括主控制系统、电源健康管理系统、子控制系统和直流变换器；主控制系统的供电模块输入端连接直流电源，供电模块输出端连接集总母线，每个直流变换器输入端分别连接集总母线，每个直流变换器输出端连接对应子控制系统输入端；电源健康管理系统，用于监测供电模块输出端电流，得到主控输出电流，根据主控输出电流相对稳态下主控输出电流的变化值，确定对应子控制系统存在故障或退化。本发明简化了电路结构，检测多个控制系统仅需要一套电流检测装置，大幅降低了电路的功耗和成本。
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公开(公告)号：CN116312709A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310159799.8
申请日：2023-02-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C29/00
摘要： 本发明公开了一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路，包含字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路。本发明通过增加对字线地址译码器实施控制的电路结构，实现屏蔽存在缺陷存储单元的标准字线，同时利用冗余字线进行替换修复，完成修复后的存储器能够正常使用，从而显著提高FLASH存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN103116617B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310032445.3
申请日：2013-01-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F17/30
摘要： 一种集成电路测试数据的处理方法，根据指定的测试项目、变化量极限及极限单位对任意两份文件进行相应测试项目变化量计算、判别。根据记录的各项参数值，在指定的两份文件里自动进行搜索，生成所有器件相应测试项目变化量总汇报表，并根据极限值进行判断；若有未通过项目，自动生成未通过项目汇报表。本发明极大地缩短了工作时间，提高了变化量计算的准确性，提升了工作效率，并解决了本领域没有相应数据分析工具的问题。
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