公开(公告)号：CN119232139A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411286053.4

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 刘文东 ,  李建成 ,  张健 ,  孙洪江 ,  张志伟 ,  林彦君 ,  郭斌 ,  王祖航 ,  杨祚涵 ,  曹亦栋

IPC: H03K19/0185 ,  H03M9/00

Abstract: 本发明公开了一种适用高速SerDes的混合模驱动器电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2，用于传输经过并串转换后输入驱动器模块的差分主数据信号，以及根据预加重使能信号给出的值，对主数据进行预加重。还包括PMOS管P4、PMOS管P5和偏置电流源I1，用于对输出差分信号实现摆幅可调。本发明采用的混合模驱动器电路具有功耗低和均衡能力强且输出摆幅大的优点，实现驱动主数据并进行预加重，以及对输出摆幅进行调节，符合设计需求，可以用于串行通信领域中高速接口驱动器电路的设计。

公开(公告)号：CN117790498A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311434043.6

申请日：2023-10-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 孙洪江 ,  李建成 ,  张健 ,  郭斌 ,  刘文东 ,  林彦君 ,  张志伟 ,  王祖航

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明提供了一种耐负压ESD防护电路，包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时，由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态；当正向ESD事件发生时，电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流；当负向ESD事件发生时，电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时，由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接，因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护，还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流，满足端口耐负压的要求。

公开(公告)号：CN117081614A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311118168.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 郭斌 ,  张健 ,  李建成 ,  孙洪江 ,  林彦君 ,  张志伟 ,  刘文东 ,  郭晓 ,  王文博

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/12

Abstract: 本发明公开了一种接收级均衡电路，包括：CTLE均衡电路和增益级电路；其中，CTLE均衡电路与增益级电路串联；CTLE均衡电路和增益级电路中均采用交叉耦合负容结构，可以对寄生电容和负载电容进行补偿，从而实现更宽的带宽和更高的高频增益。