一种适用LVDS接收级的冷备份和失效保护电路

    公开(公告)号:CN113872588A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111012408.7

    申请日:2021-08-31

    IPC分类号: H03K19/0185

    摘要: 本发明涉及一种适用LVDS接收级的冷备份和失效保护电路,该电路包括浮阱结构电路、Failsafe电路和上电偏置电路。浮阱结构电路在电源正常上电时,对N阱进行充电,N阱被充电至电源电压,保证Failsafe电路正常工作;在电源掉电或者浮空条件下,切断LVDS输入端与电源的寄生通道,实现冷备份功能;Failsafe电路在端口浮空条件下,将LVDS的P端拉升至电源电位,N端拉低至地端电位,保证输出为稳态高电平;上电偏置电路在电源上电时提供偏置电压,保证浮阱结构电路正常工作。本发明电路在满足失效保护功能的同时,在电源掉电或者浮空条件下,可以切断从端口到电源的通路,满足冷备份需求。

    一种单粒子加固FPGA的用户寄存器状态捕获电路

    公开(公告)号:CN105702296B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201610127480.7

    申请日:2016-03-07

    IPC分类号: G11C19/28 G11C19/38

    摘要: 一种单粒子加固FPGA的用户寄存器状态捕获电路,包括用户寄存器、晶体管M3、晶体管M4、SRAM存储单元、捕获信号产生电路,晶体管M3、晶体管M4放置在用户寄存器、SRAM存储单元之间,捕获信号产生电路产生输出信号CAPTURE,控制导通晶体管M3、晶体管M4导通,实现数据捕获回读。本发明状态捕获电路与现有技术相比,通过进行捕获回读操作,如果发现配置存储器阵列中存储的配置码流发生单粒子翻转,可以进行动态部分重配,如果配置存储器阵列中存储捕获用户寄存器状态的SRAM存储单元状态出现错误,可以对相应的逻辑进行复位处理,显著降低了FPGA芯片的单粒子翻转累积效应。

    一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路

    公开(公告)号:CN105761746A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610080515.6

    申请日:2016-02-04

    IPC分类号: G11C11/413

    CPC分类号: G11C11/413

    摘要: 本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路,包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器,得到选通信号,选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间,并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时,通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度,实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。

    一种具有码流纠检错功能的单粒子加固FPGA配置电路

    公开(公告)号:CN105760250B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201610079915.5

    申请日:2016-02-04

    IPC分类号: G06F11/10 H03M13/19

    摘要: 一种具有码流纠检错功能的单粒子加固FPGA配置电路,包括总线接口电路、配置总线、配置寄存器、编码纠错电路、配置存储器阵列;总线接口电路解析配置比特码流得到配置寄存器地址、内部数据并通过配置总线送至对应配置寄存器,配置寄存器根据内部指令字进行读写、配置、纠错操作,编码纠错电路接收配置数据字后产生校验码,并送至配置存储器阵列,读取配置数据字、校验码并进行纠错,配置存储器阵列加载配置数据字及对应的校验码。本发明通过增加编码纠错电路,能够在配置完成后读取配置存储器阵列中配置数据字进行检错纠错,解决了SRAM型FPGA芯片在空间辐射环境中由于单粒子翻转容易引入逻辑错误的问题,具有较好的应用价值。

    一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路

    公开(公告)号:CN105761746B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201610080515.6

    申请日:2016-02-04

    IPC分类号: G11C11/413

    摘要: 本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路,包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器,得到选通信号,选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间,并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时,通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度,实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。

    一种适用于SRAM型FPGA的多功能时钟缓冲器

    公开(公告)号:CN107453750A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710580636.1

    申请日:2017-07-17

    IPC分类号: H03K19/177 H03K19/173

    摘要: 一种适用于SRAM型FPGA的多功能时钟缓冲器。该缓冲器包括第一时钟控制电路B101、第二时钟控制电路B102以及输出多路器B103,用于驱动FPGA内全局时钟网络,根据FPGA配置可以实现不同工作模式。第一个工作模式为普通时钟缓冲器;第二个工作模式为带使能的时钟缓冲器,当时钟缓冲器未使能时输出时钟固定为高电平;第三个工作模式为时钟多路器,可以完成两个时钟的无毛刺切换;第四个工作模式为带使能的时钟多路器,可以完成两个时钟的无毛刺切换,当时钟多路器未使能时输出时钟固定为高电平。该缓冲器电路额外提供一个输入时钟怱略控制端口,可以在时钟已经消失的清况下完成时钟的切换操作。