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公开(公告)号:CN118740888A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410891909.4
申请日:2024-07-04
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H04L67/125 , H04L67/60 , H04L69/08 , H04L69/22
摘要: 本发明属于确定性网络通信技术领域,具体涉及了一种舰载时间敏感网络平台系统控制架构及方法,旨在解决传统船舶电子信息网络多种总线互联、布线复杂的问题。本发明包括:控制系统层,用于接收数据交换层发送的TSN网络运行状态,和接收数据交换层转发的外部感知信息以及终端需求,并发出网络资源管理信息和控制指令;数据交换层,用于实时收集基础终端层的外部感知信息和终端需求;用于执行网络资源管理信息进行网络资源的分配;还用于转发控制指令;基础终端层,用于采集外部感知信息、根据用户需要产生终端需求以及执行控制指令。本发明利用TSN技术,实现了以各种封闭协议为维度的通信体系的互联互通,降低整个通信网络复杂度。
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公开(公告)号:CN118571786A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410522691.5
申请日:2024-04-28
申请人: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要: 一种大翘曲晶圆回流过程翘曲控制装置及回流焊接方法,适用于Fan‑out晶圆Bumping工艺,采用回流翘曲控制装置及方法进行Bumping制备及大翘曲晶圆回流控制,通过压力自动控制实现回流过程中翘曲晶圆的整平,大大提高回流工艺的成品率,同时针对不同成分凸点采用不同规格的翘曲控制装置调节设计,能够实现不同回流条件下翘曲效果控制效果一致,提高回流工艺的一致性。
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公开(公告)号:CN118486662A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410665642.7
申请日:2024-05-27
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L29/78
摘要: 本发明属于电子元器件封装领域,具体涉及了一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构,旨在解决当前技术难以实现MOS管大量产热的有效导出的问题。本发明包括:陶瓷外壳、盖板、源极引出端、栅极引出端、漏极引出端和MOS芯片;陶瓷外壳与盖板之间密封连接;MOS芯片设置在陶瓷外壳的内部,MOS芯片的正面与陶瓷外壳连接;MOS芯片的背面与盖板连接;MOS芯片的源极、栅极分别通过不同的键合指引出至源极引出端和栅极引出端,MOS芯片的漏极通过盖板引出至漏极引出端。本发明改进了传统的引线键合封装结构,能够做到双面散热,实现MOS管大量产热的有效导出。
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公开(公告)号:CN114938223B
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202210730665.2
申请日:2022-06-24
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H03K17/687
摘要: 本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路,包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路;高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号,与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块;低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号,与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作,半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高,低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高,进而调节高侧和低侧功率管的开启时间,在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。
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公开(公告)号:CN113257761A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110209811.2
申请日:2021-02-24
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/31 , H01L23/16 , H01L21/56
摘要: 一种倒装焊器件主动式散热结构及互联方法,主动式散热结构包括封装基板、倒装芯片、电互联材料、电互连材料、底部填充胶、散热片、散热装置,电互联材料设置于倒装芯片正面,倒装芯片倒装于封装基板上,通过底部填充胶粘接固定,散热装置底部中心区域通过散热片与倒装芯片相连,倒装芯片四周通过电互连材料与封装基板相连,并通过底部填充胶固定,互联方法采用主动散热方式,无需额外辅助散热,散热效率高,能够优化芯片工作温度环境,提高芯片使用寿命。
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公开(公告)号:CN111725081A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010514730.9
申请日:2020-06-08
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/488
摘要: 本发明一种针对塑封倒装焊基板的不同尺寸SOP制备方法,包括如下步骤:步骤1、对所有焊盘进行助焊剂印刷;步骤2、根据焊盘尺寸,选择需要的焊球尺寸,将焊盘分为多组;对于一组焊盘,将印刷完助焊剂的基板置于与该组焊盘对应的置球网板下,将该组焊盘对应的焊球通过对应的置球网板漏置于该组焊盘上;步骤3、在焊球漏置于焊盘上后,将基板置于回流炉中进行回流焊,形成球形焊点;步骤4、重复步骤1至3,直至遍历各组焊盘,各组焊盘上均形成对应的球形焊点;步骤5、对制备完焊点的基板进行清洗,以去除残留助焊剂;步骤6、对所有球形焊点进行整平处理。本发明的方法提升高密度塑封倒装焊工艺的焊接质量,保证塑封倒装焊器件的长期可靠性。
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公开(公告)号:CN106601655B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201611245712.5
申请日:2016-12-29
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明公开了一种芯片倒装工艺芯片监测装置和方法。首先预装带凸点芯片特征点图像信息至控制计算机,然后将带凸点芯片倒置,吸附安装在芯片贴装头上,根据移动机构和芯片贴装头的位置信息,控制计算机发出控制信号,使芯片位于拍照装置的可视范围,且拍照装置摄像头与被检凸点芯片对焦,实时获取带凸点芯片凸点面图像信息,并识别图像信息中的特征点,向移动机构发送运动控制信号,调整芯片贴装头位置,使得特征点与预设的特征点图像吻合,保存此时拍摄的凸点面图像信息,并判断芯片是否可用,输出显示判断结果。本发明可保障芯片倒装工艺使用的芯片为良好芯片,减少了芯片损伤、焊球损伤等问题芯片的使用,显著提高了器件原材料的控制力度。
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公开(公告)号:CN109120264A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810847080.2
申请日:2018-07-27
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 一种吉赫兹模数转换器自动测试系统及方法,该测试系统主要包括:直流电源分析仪、两个信号源、信号源、时钟源、开关滤波器组、逻辑分析仪、SPI控制模块、测试评估板、交换机、测试服务器、显示器、机柜。通过USB线将SPI控制模块连接至测试服务器,通过LAN总线将各虚拟仪器、测试服务器连接至交换机后放置于机柜中。基于TestStand和LabView编写上位机软件完成对虚拟仪器、模块的控制及转换器全参数特性评估,将测试结果保存并显示至显示器上,最终实现吉赫兹模数转换器的自动测试。本发明能够简化测试流程,增加吉赫兹模数转换器可测参数的数量,提高测试效率,减少测试系统软件维护成本,同时,该测试系统具有良好的兼容性和灵活性。
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公开(公告)号:CN108880545A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810737733.1
申请日:2018-07-06
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 一种流水线模数转换器比较器失调前台校准电路及方法,包括电流源I1和可调电阻串单元阵列,可调电阻串单元阵列包括N个可调电阻串单元RESL1~RESLN,在电源VDD和地之间依次串接电流源I1和可调电阻串单元RESL1~RESLN,可调电阻串单元RESL1~RESLN的结构相同且阻值可调。可调电阻串单元包括4个微调电阻R1~R4、5个开关SW1~SW5、1个二选一开关DSW、比较器COMP、累加器ACCU、阈值判决器THR以及双向移位寄存器SHREG。本发明将传统分压电阻一分为四,用于微调比较器的失调电压,并未引入额外静态功耗,特别适用于低功耗设计。
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公开(公告)号:CN105655264B
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201511028690.2
申请日:2015-12-30
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L21/60
摘要: 本发明公开了种CCGA器件的植柱装置及植柱方法。植柱装置包括焊柱载板、底座、压块和定位柱。植柱方法为将CCGA器件放置于底座凹槽中,然后利用定位柱将焊柱载板和底座对位固定,将焊柱依次放入焊柱载板的网孔中,通过这种方式保持焊柱在CCGA器件焊盘上的直立,并使用压块保证焊柱稳定,最后通过回流焊实现植柱工艺。本发明的装置和方法可将焊柱焊接在CCGA器件的焊盘上,能够达到98%以上的植柱成品率。
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