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公开(公告)号：CN116259517A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310269494.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01J37/302 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体离子注入机的智能化作业系统和方法，所述系统包括：半导体离子注入机、KVM切换器、搭载RPA流程自动化模块的远程操控服务器或电脑；所述离子注入机能够对半导体工艺进行离子注入，被单独操作运行作业；所述KVM切换器用于把离子注入机切换到远程操控端服务器或电脑，通过网络通讯将离子注入机和远程操控端的服务器或电脑串联起来，远程操控服务器或电脑通过KVM切换器控制离子注入机的远程界面；所述RPA流程自动化模块搭载到远程操控端服务器或电脑，包括OCR文字识别单元、流程编辑单元、CV视觉处理单元、Dashboard单元。本发明大幅降低了人工工作的强度和时长、作业时的辐射风险，提升半导体离子注入机的作业效率。
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公开(公告)号：CN115763236A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211350789.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/04 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/06 , B24B7/22 , B24B27/00
Abstract: 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。
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公开(公告)号：CN117995676A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211358623.7
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/308 , H01L29/06
Abstract: 一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构，包括：在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层，在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻处理，得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜；基于所述光刻掩膜，对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀，得到具有所述倾角的掩膜介质层形貌；根据所述掩膜介质层形貌对应的倾角，对所述碳化硅晶圆进行干法刻蚀，得到具有目标倾角的碳化硅斜坡。本发明通过将湿法腐蚀和干法腐蚀进行结合，对碳化硅晶圆进行全面刻蚀，最终得到一个平缓的碳化硅斜面；通过本发明的方法能够获得一个平缓的斜面碳化硅形貌，且这种形貌用于终端时，可以使曲率半径变大，电场分散，可以较好的减轻主结电场集中效应。
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公开(公告)号：CN117253789A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311239641.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网山西省电力公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/41 , C09K13/06
Abstract: 本发明提供了一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法及器件，属于半导体制造技术领域。其中，方法包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；在待腐蚀区域表面上旋涂光刻胶，并进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过预设形状窗口对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，然后根据刻蚀液对膜的腐蚀选择性特点，再进行钛铝金属膜腐蚀使铝层边缘缩进，去除光刻胶膜，从而实现底层钛超出铝边缘的腐蚀形貌。本发明通过二次铝层腐蚀的方法，既可以去除铝屋檐结构，又可以实现钛金属层超出铝层边缘的独特形貌，使金属电极接触更加充分，从而使边缘不易脱落，也为后续工艺提供更加良好的接触界面，以到提高芯片可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN119689222A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510146600.7
申请日：2025-02-10
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网福建省电力公司电力科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种用于大功率电力电子芯片高压测试装置及方法，该装置包括包括探针组件、探针调节单元、晶圆定位平台和定位平台运动单元；所述晶圆定位平台对芯片进行固定，所述定位平台运动单元承载晶圆定位平台内的芯片在平面范围内运动；所述探针组件对芯片进行连接测试，所述探针调节单元控制探针组件与晶圆定位平台内相对位置；通过探针组件与晶圆定位平台的不同规格设计，可针对不同电压等级的芯片进行高压测试，通过探针调节单元和定位平台运动单元可实现测试过程中灵活调整探针与油池间距，提升高压电力电子芯片的测试效率。解决了芯片测试过程中受探针设计尺寸和规格限制，造成油池深度不能灵活调整、芯片高压打火、难以自动化测试的问题。
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公开(公告)号：CN119335325A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310878688.2
申请日：2023-07-18
Abstract: 本发明提供了一种应用于芯片高压测试的测试装置及测试方法，属于半导体生产技术领域，该测试装置包括可发热的载物台、测试油槽、探针座和探针。测试油槽设置在载物台上；探针座设置在测试油槽外，探针设置在探针座上；测试过程中，测试油槽盛放绝缘油，探针与放置在测试油槽中的器件相接触。该测试装置通过将器件放在绝缘油中进行高压测试，可杜绝测试过程中导电通道的出现，保证测试提高精度，防止高压测试过程中器件被损坏。
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公开(公告)号：CN118039467A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366766.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/265 , H01L29/06
Abstract: 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。
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公开(公告)号：CN116682862A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211742055.0
申请日：2022-12-29
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
Abstract: 一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。
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公开(公告)号：CN116435340A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310392327.7
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。
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