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公开(公告)号：CN112710706A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011443736.8
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明实施例提供一种湿度传感器，属于传感器技术领域。所述湿度传感器包括：第一电极、第二电极、湿度敏感材料层；所述湿度敏感材料层位于第一电极和第二电极之间；所述第二电极为多孔电极，开孔的形状为圆形或三角形。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境湿度的高灵敏度、高精度的检测，同时提高了传感器的可集成度与稳定性能。
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公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN112289852B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN112289852A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN113176974B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110735623.3
申请日：2021-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京理工大学 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F11/22 , G06F11/263
摘要： 本发明公开了一种用于验证IP核的方法、装置及系统，本发明通过控制板卡生成测试数据；将测试数据发送至验证板卡，以使得验证板卡基于验证板卡内的IP核和测试数据对目标存储器进行读写访问操作；获取验证板卡从目标存储器读取的第一数据；根据测试数据及第一数据得到验证结果。通过在控制板卡中生成测试数据，并根据控制板卡中的程序控制验证板卡实现IP核的读写验证，避免了传统IP核验证需要硬件验证人员编写硬件验证语言导致开发时间长且灵活性差的缺陷，提高了IP核的验证效率。
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公开(公告)号：CN113177388A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110735624.8
申请日：2021-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京理工大学 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明实施例提供一种用于IP核测试与验证的装置、系统及方法。该装置包括：数据生成与控制板卡，用于生成测试数据，以及控制核心验证板卡的IP核进行测试与验证；核心验证板卡，通过链路层与数据生成与控制板卡连接，并用于根据数据生成与控制板卡的控制指令进行对应的操作。本发明不仅提高了测试数据生成的密度、速度以及测试速度，并且还提高了测试方法的可扩展性和灵活性。
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公开(公告)号：CN113176974A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110735623.3
申请日：2021-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京理工大学 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F11/22 , G06F11/263
摘要： 本发明公开了一种用于验证IP核的方法、装置及系统，本发明通过控制板卡生成测试数据；将测试数据发送至验证板卡，以使得验证板卡基于验证板卡内的IP核和测试数据对目标存储器进行读写访问操作；获取验证板卡从目标存储器读取的第一数据；根据测试数据及第一数据得到验证结果。通过在控制板卡中生成测试数据，并根据控制板卡中的程序控制验证板卡实现IP核的读写验证，避免了传统IP核验证需要硬件验证人员编写硬件验证语言导致开发时间长且灵活性差的缺陷，提高了IP核的验证效率。
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公开(公告)号：CN113177388B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110735624.8
申请日：2021-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京理工大学 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明实施例提供一种用于IP核测试与验证的装置、系统及方法。该装置包括：数据生成与控制板卡，用于生成测试数据，以及控制核心验证板卡的IP核进行测试与验证；核心验证板卡，通过链路层与数据生成与控制板卡连接，并用于根据数据生成与控制板卡的控制指令进行对应的操作。本发明不仅提高了测试数据生成的密度、速度以及测试速度，并且还提高了测试方法的可扩展性和灵活性。
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公开(公告)号：CN112285412A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011024238.X
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R19/25
摘要： 本发明实施例提供一种带隙基准源测量装置及方法，其中测量装置包括：测量电容、控制开关、比较器、计数器和计算模块；控制开关与测量电容并联连接，且控制开关在测量电容充电过程中处于常开状态；测量电容的第一端连接比较器的同向输入端，测量电容的第二端接地，比较器的输出端连接计数器的计数输入端以及控制开关的控制端，用于在比较器输出高电平时，控制控制开关闭合；计算模块连接计数器的输出端，用于在将待测量带隙基准源接入带隙基准源测量装置进行测量的过程中，获取计数器的输出计数，并基于输出计数，获取对待测量带隙基准源的测量结果。本发明实施例能够更加准确、直观的显示测量结果。
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