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公开(公告)号：CN113851564A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111094317.2
申请日：2018-01-19
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN109378376B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN109844968A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201880003521.9
申请日：2018-01-19
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN109378376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN107731981A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710822522.3
申请日：2017-09-13
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，包括：叠层体和电极，所述叠层体具有第一导电型半导体层、发光层以及与所述第一导电型半导体层的导电型不同的第二导电型半导体层，所述电极形成于所述第一导电型半导体层或/和第二导电型半导体层上，其特征在于：于所述第一导电型半导体层或/和第二导电型半导体层上的非电极区域设置比电极表面更易吸附胶气的吸附材料，用于抑制电极表面的胶气吸附。
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公开(公告)号：CN105575951B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510987688.1
申请日：2015-12-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/00 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/648
摘要： 一种高压发光二极管及其制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成发光外延叠层；图形化所述发光外延叠层并制作沟道直至裸露出衬底表面，从而将发光外延叠层分隔为多个发光二极管单元，且所述发光二极管单元至少组成两个行列；制作电极互联线，横跨于所述沟道上，相邻的两个发光二极管单元通过所述电极互联线连接；制作电极焊盘，形成于所述高压发光二极管的最外围的发光二极管单元上；其特征在于：在所述任意相邻的两个发光二极管电势差≥单个发光二极管的正向电压3倍的沟道处设置绝缘保护层开口，用于避免绝缘保护层被介电击穿时产生的热量诱使发光外延叠层被击穿。
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公开(公告)号：CN106449922A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610775319.0
申请日：2016-08-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
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公开(公告)号：CN111201595B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980004676.9
申请日：2019-04-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
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公开(公告)号：CN110998878B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201980003928.6
申请日：2019-03-19
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V1，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V2占所述电极间隙的空间体积V1的比例：V2/V1的比值介于50%~100%。
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公开(公告)号：CN105575951A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510987688.1
申请日：2015-12-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/00 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/648 , H01L27/156 , H01L33/005
摘要： 一种高压发光二极管及其制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成发光外延叠层；图形化所述发光外延叠层并制作沟道直至裸露出衬底表面，从而将发光外延叠层分隔为多个发光二极管单元，且所述发光二极管单元至少组成两个行列；制作电极互联线，横跨于所述沟道上，相邻的两个发光二极管单元通过所述电极互联线连接；制作电极焊盘，形成于所述高压发光二极管的最外围的发光二极管单元上；其特征在于：在所述任意相邻的两个发光二极管电势差≥单个发光二极管的正向电压3倍的沟道处设置绝缘保护层开口，用于避免绝缘保护层被介电击穿时产生的热量诱使发光外延叠层被击穿。
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