公开(公告)号：CN106467287B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510755259.1

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  彭荣辉 ,  朱家骅 ,  蔡念宗 ,  黄耀德 ,  洪丽闵 ,  刘育嘉

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。

公开(公告)号：CN107026090A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611195926.6

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  蔡念宗

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/4853

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，该方法包括在半导体器件上方形成接触焊盘。在接触焊盘上方形成钝化材料。所述钝化材料的材料类型和厚度允许穿过所述钝化材料与所述接触焊盘建立电连接。

公开(公告)号：CN106467287A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510755259.1

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  彭荣辉 ,  朱家骅 ,  蔡念宗 ,  黄耀德 ,  洪丽闵 ,  刘育嘉

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。