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公开(公告)号：CN104377256B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310542497.5
申请日：2013-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 在本发明形成CIGS薄膜吸收层的方法中，提供包括第一衬底的第一前体，第一衬底上形成有主要工艺前体膜，主要工艺前体膜包含Cu、In、Ga和Se中的两种或多种。提供包括第二衬底的第二前体，第二衬底上形成有元素供应前体膜，元件供应前体膜包含Cu、In、Ga和Se中的两种或多种。使主要工艺前体膜和元素供应前体膜相互面对来定向前体，以允许退火期间元素在薄膜之间扩散。对定向后的薄膜进行退火，然后分离前体，其中，CIGS薄膜形成在第一衬底上方，而CIGS薄膜或包含Cu、In、Ga和Se中的两种或多种的前体膜保留在第二衬底上方。
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公开(公告)号：CN104342634B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201310495883.3
申请日：2013-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/448
CPC classification number: H01L31/18 , C23C12/00 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有钠杂质的硫属化合物半导体吸收材料的方法和系统。该系统包括其中使固态钠源材料蒸发的钠蒸发器。将钠蒸汽加入到反应气体和/或退火气体中并且被导至包括衬底的炉中，其中，该衬底具有金属前体材料。根据不同的工艺顺序，前体材料与诸如含S的气体和含Se的气体的发生反应。在一个实施例中，硒化操作之后为退火操作和硫化操作，并且在退火步骤与硫化反应步骤中的至少一个步骤期间，促使钠蒸汽与金属前体反应，以产生包括钠掺杂剂杂质的硫属化合物半导体吸收材料。
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公开(公告)号：CN104465862B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310694563.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/2225 , H01L21/225 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L31/0749 , H01L31/186 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种用于制造太阳能电池的方法，通常包括将太阳能电池子结构传输至腔室。使用连接至腔室的波生成装置产生电磁辐射，从而使波生成装置被设置为邻近太阳能电池子结构。将电磁辐射于应用于太阳能电池子结构的至少一部分上以帮助至少一种金属元素扩散穿过太阳能电池子结构的至少一部分，从而在太阳能电池子结构的至少两种不同类型的半导体材料之间形成半导体界面。本发明还提供了一种制造太阳能电池的装置。
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公开(公告)号：CN104233194B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310370283.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/24
CPC classification number: H01L31/18 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供了一种蒸发装置和方法，包括被配置成其中包括至少一个待涂覆的衬底和与蒸发源相连接的至少一个散布喷嘴的腔室。该腔室具有限定可调的孔的至少一个可调屏蔽件。该屏蔽件设置在散布喷嘴和衬底所在位置之间。孔在由面积、形状和方向所构成的组中的至少一个方面上是可调的。至少一个可调屏蔽件具有加热器。
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公开(公告)号：CN109638100A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811221714.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/056 , H01L31/0445 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0445 , H01L31/056 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了具有背面反射体的光伏器件，公开了通过在背面电极层和吸收层之间提供背面反射体而提高薄膜太阳能电池的效率的器件和方法。背面反射体将太阳光光子重新反射回吸收层以产生额外的电能。该器件是光伏器件，其包括衬底、背面电极层、背面反射体、吸收层、缓冲层和正面接触层。背面反射体形成为多条平行线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104835757B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410156065.5
申请日：2014-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/1836 , H01L21/02557 , H01L21/0262 , Y02E10/50
Abstract: 一种用于监控制造太阳能电池的工艺的方法通常包括：在用于太阳能电池子结构的室中执行反应工艺，其中，该室包括反应溶液，反应溶液包括至少一种化学成分。在反应工艺期间，经由连接至室的检测组件检测化学成分的浓度值。该方法还包括：经由连接至检测组件的控制组件，确定所检测的浓度值是否处于化学成分的预定阈值浓度水平或在预定浓度范围内。当所检测的浓度值不同于预定阈值浓度水平或者不同于预定浓度范围时，在反应工艺期间，改变反应溶液内的化学成分的浓度。本发明还提供了用于监控制造太阳能电池的工艺的装置。
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公开(公告)号：CN103855249B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310134090.9
申请日：2013-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/03923 , Y02E10/541
Abstract: 本发明公开了可用作太阳能电池吸收层的基于黄铜矿的材料的铟溅射方法和材料。一种太阳能电池包括由CIGAS(铜、铟、镓、铝和硒)形成的吸收层。提供了一种形成吸收层的方法，包括使用铟铝靶和使用溅射沉积方法沉积铟铝膜作为金属前体层。还提供了诸如CuGa层的另一些金属前体层，并且热处理操作使得金属前体层硒化。热处理操作/硒化操作将金属前体层转化成吸收层。在一些实施例中，吸收层包括基于黄铜矿的双渐变带隙。
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公开(公告)号：CN103811563B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310150954.6
申请日：2013-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103849841B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310052015.8
申请日：2013-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3492 , C23C14/56 , H01J37/32651
Abstract: 本发明公开的一种溅射装置包括：腔室，其被配置成包含至少一个溅射靶和至少一个将被涂覆的衬底。该腔室具有限定可调孔的至少一个可调屏蔽元件。该元件设置在至少一个溅射靶和至少一个衬底之间。在面积和形状构成的组的至少一方面来调整孔。本发明还公开了一种溅射方法。
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公开(公告)号：CN109638100B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811221714.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/056 , H01L31/0445 , H01L31/0749
Abstract: 本发明提供了具有背面反射体的光伏器件，公开了通过在背面电极层和吸收层之间提供背面反射体而提高薄膜太阳能电池的效率的器件和方法。背面反射体将太阳光光子重新反射回吸收层以产生额外的电能。该器件是光伏器件，其包括衬底、背面电极层、背面反射体、吸收层、缓冲层和正面接触层。背面反射体形成为多条平行线。
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