公开(公告)号：CN116435197A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310290020.6

申请日：2023-03-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯皓程 ,  王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  梁裕民 ,  李建勋 ,  侯上勇 ,  陈玮佑 ,  张向晴 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  林圣奇

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/00

摘要： 方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至第一多个RDL。第一封装组件和第二封装组件通过互连管芯和第一多个RDL电互连。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN219716864U

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202320229402.3

申请日：2023-02-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈玮佑 ,  张向晴 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/498

摘要： 本公开的各种实施例提供一种包括柱数组的半导体结构。中介层包括第一中介层接合接垫。使用中介层侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至第一中介层接合接垫。通过使用衬底侧焊料材料部分将铜柱结构的数组接合至位于封装衬底上的衬底接合接垫以将封装衬底贴合至铜柱结构的数组。