封装结构及其形成方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118315283A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410300662.4

    申请日:2024-03-15

    摘要: 一种形成封装结构的方法,包括:在基底结构上形成光刻胶,和使用第一光刻掩模对所述光刻胶执行第一曝光工艺。在所述第一曝光工艺中,所述光刻胶的内部部分被阻挡而免受曝光,并且光刻胶的外围部分被曝光。所述外围部分环绕所述内部部分。使用第二光刻掩模对光刻胶执行第二曝光工艺。在所述第二曝光工艺中,光刻胶的所述内部部分被曝光,并且所述光刻胶的所述外围部分被阻挡而免受曝光。对所述光刻胶进行显影。本发明的实施例还提供了封装结构。

    元件的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104617043B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201510029812.3

    申请日:2007-12-14

    IPC分类号: H01L21/78 H01L21/50

    摘要: 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底,包括多个芯片,芯片间是以切割线区域分隔,其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层,形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中,提供第一基底,其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层,于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底,其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层,于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底,形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题,改善生产合格率。