公开(公告)号：CN116435196A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310152271.8

申请日：2023-02-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林圣奇 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯上勇

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535

摘要： 一种方法包括：形成积层封装衬底，形成积层封装衬底包括形成第一多条再分布线(RDL)和第二多条RDL，在第一多条RDL上形成第一多个贯通孔，将互连管芯接合至第二多条RDL，将互连管芯和第一多个贯通孔密封在第一密封剂中，以及在第一密封剂上方形成第三多条RDL。第三多条RDL电连接至第一多个贯通孔。有机封装衬底接合至积层封装衬底。积层封装衬底与有机封装衬底组合形成复合有机封装衬底。第一封装组件和第二封装组件接合至复合有机封装衬底，并且通过互连管芯电互连。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117423628A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311146462.X

申请日：2023-09-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王政安 ,  林圣奇 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  李建勋

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

摘要： 实施例提供了执行用于器件晶圆的载体切换、附接第二晶圆和去除第一晶圆的方法。缓冲层沉积在器件晶圆上方，缓冲层减少了器件晶圆表面的形貌。在载体切换之后，从缓冲层去除线上薄膜层，并且然后至少部分去除缓冲层。本申请的实施例还提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN116435197A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310290020.6

申请日：2023-03-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯皓程 ,  王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  梁裕民 ,  李建勋 ,  侯上勇 ,  陈玮佑 ,  张向晴 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  林圣奇

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/00

摘要： 方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至第一多个RDL。第一封装组件和第二封装组件通过互连管芯和第一多个RDL电互连。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。