公开(公告)号：CN107611100A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610812256.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  李建勋 ,  余振华 ,  刘重希 ,  郑荣伟 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  王宗鼎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162

Abstract: 一种整合扇出型封装，其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重布线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路，第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子藉由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重布线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重布线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外，整合扇出型封装的制造方法亦被提出。

公开(公告)号：CN104051382B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310294054.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建勋 ,  郑荣伟 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  吴俊毅 ,  宋明忠

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法，该方法包括压印底部封装件的焊球，其中在压印步骤之后，焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。

公开(公告)号：CN118315283A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410300662.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯上勇 ,  李建勋 ,  王宗鼎 ,  侯皓程

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种形成封装结构的方法，包括：在基底结构上形成光刻胶，和使用第一光刻掩模对所述光刻胶执行第一曝光工艺。在所述第一曝光工艺中，所述光刻胶的内部部分被阻挡而免受曝光，并且光刻胶的外围部分被曝光。所述外围部分环绕所述内部部分。使用第二光刻掩模对光刻胶执行第二曝光工艺。在所述第二曝光工艺中，光刻胶的所述内部部分被曝光，并且所述光刻胶的所述外围部分被阻挡而免受曝光。对所述光刻胶进行显影。本发明的实施例还提供了封装结构。

公开(公告)号：CN107046014A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611180344.0

申请日：2016-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎 ,  刘名哲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/02

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件包括半导体衬底、在半导体衬底上的导电焊盘、在导电焊盘上方的导体。半导体器件进一步具有环绕半导体衬底、导电焊盘和导体的模塑料。在半导体器件中，导体具有短钉形状。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN117116779A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310820084.2

申请日：2023-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  李建勋 ,  侯上勇

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L23/64 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括形成电感器管芯，其包括在衬底上方形成金属通孔，形成环绕金属通孔的磁性外壳，金属通孔和磁性外壳共同地形成电感器，以及在磁性外壳周围沉积介电层。该方法还包括将电感器管芯放置在载体上方，将电感器管芯封装在密封剂中，形成电连接至电感器的再分布线，以及将器件管芯接合到再分布线。器件管芯通过再分布线电耦合到电感器。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。

公开(公告)号：CN116435196A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310152271.8

申请日：2023-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林圣奇 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯上勇

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535

Abstract: 一种方法包括：形成积层封装衬底，形成积层封装衬底包括形成第一多条再分布线(RDL)和第二多条RDL，在第一多条RDL上形成第一多个贯通孔，将互连管芯接合至第二多条RDL，将互连管芯和第一多个贯通孔密封在第一密封剂中，以及在第一密封剂上方形成第三多条RDL。第三多条RDL电连接至第一多个贯通孔。有机封装衬底接合至积层封装衬底。积层封装衬底与有机封装衬底组合形成复合有机封装衬底。第一封装组件和第二封装组件接合至复合有机封装衬底，并且通过互连管芯电互连。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110690127B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201911134601.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  陈玉芬 ,  郑荣伟 ,  梁裕民 ,  王宗鼎

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体器件的封装件衬底，该封装件衬底包括衬底核心和设置在衬底核心上方的材料层。该封装件衬底包括设置在衬底核心和材料层中的鱼眼孔径。

公开(公告)号：CN110690127A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911134601.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  陈玉芬 ,  郑荣伟 ,  梁裕民 ,  王宗鼎

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体器件的封装件衬底，该封装件衬底包括衬底核心和设置在衬底核心上方的材料层。该封装件衬底包括设置在衬底核心和材料层中的鱼眼孔径。

公开(公告)号：CN119480827A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411453468.6

申请日：2024-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴曜丞 ,  林华恺 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，器件包括：中介层，包括：背侧再分布结构；互连管芯，位于背侧再分布结构上方，互连管芯包括衬底、从衬底突出的衬底通孔和衬底通孔周围的隔离层；第一密封剂，位于互连管芯周围，第一密封剂的表面与隔离层的表面和衬底通孔的表面基本上共面；以及前侧再分布结构，位于第一密封剂上方，前侧再分布结构包括物理接触衬底通孔的第一导电通孔，隔离层将第一导电通孔与衬底分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117177659A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310887539.2

申请日：2023-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玮佑 ,  陈重辉 ,  侯皓程 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯上勇

IPC: H10N97/00 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

Abstract: 一种形成电感器的方法，包括在衬底上形成第一重分布结构，形成位于第一重分布结构上方并且电连接到第一重分布结构的第一导电通孔，在第一导电通孔的顶表面和侧壁上方沉积第一磁性材料，将第一管芯和第二管芯耦接到第一重分布结构，将第一管芯、第二管芯和第一导电通孔密封在密封体中，并且平坦化密封体和第一磁性材料以暴露第一导电通孔的顶表面，同时第一磁性材料的剩余部分保留在第一导电通孔的侧壁上，其中第一导电通孔和第一磁性材料的剩余部分提供电感器。本申请的实施例还涉及一种具有电感器的封装件。