公开(公告)号：CN101593751B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810212849.X

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤乾绍 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  王哲谊 ,  张毓华 ,  尤金德拉·雅达夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/872

Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。本发明的优点包括击穿电压的增加、漏电流的降低以及单位面积的开启电流的增加。

公开(公告)号：CN101043052A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610141051.1

申请日：2006-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴成堡 ,  曾健庭 ,  汤乾绍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该硅化区并位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面的边缘。本发明所述的半导体元件及其形成方法，改善了传统硅化制程所产生的问题，避免硅化物形成在栅极电极以及/或源极及漏极的边缘，从而使漏电流降低。

公开(公告)号：CN101771089B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910150018.9

申请日：2009-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何大椿 ,  汤乾绍 ,  钟于彰 ,  王哲谊

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种高电压肖特基二极管，包括形成在半导体衬底上并具有第一宽度的深P阱。掺杂P阱设置在所述深P阱上方，并具有小于所述深P阱宽度的第二宽度。N型保护环围绕所述第二掺杂阱的上表面形成。肖特基金属设置在所述第二掺杂阱和N型保护环的上表面。

公开(公告)号：CN101399287A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211719.4

申请日：2008-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何大椿 ,  汤乾绍 ,  王哲谊 ,  钟于彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其结构包括栅极、源极、漏极以及浅沟槽隔离区。在漏极和栅极之间形成的浅沟槽隔离区被用来承受施加到漏极的高电压，并且浅沟槽隔离区与半导体衬底结合以形成凹陷。这样，浅沟槽隔离区的表面低于半导体衬底的表面。可选择地，浅沟槽隔离区的表面比半导体衬底的表面低300～1500埃。本发明的LDMOS结构不仅减小了“导通”电阻，而且增加了击穿电压。

公开(公告)号：CN101771089A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910150018.9

申请日：2009-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何大椿 ,  汤乾绍 ,  钟于彰 ,  王哲谊

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种高电压肖特基二极管，包括形成在半导体衬底上并具有第一宽度的深P阱。掺杂P阱设置在所述深P阱上方，并具有小于所述深P阱宽度的第二宽度。N型保护环围绕所述第二掺杂阱的上表面形成。肖特基金属设置在所述第二掺杂阱和N型保护环的上表面。

公开(公告)号：CN101399287B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810211719.4

申请日：2008-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何大椿 ,  汤乾绍 ,  王哲谊 ,  钟于彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其结构包括栅极、源极、漏极以及浅沟槽隔离区。在漏极和栅极之间形成的浅沟槽隔离区被用来承受施加到漏极的高电压，并且浅沟槽隔离区与半导体衬底结合以形成凹陷。这样，浅沟槽隔离区的表面低于半导体衬底的表面。可选择地，浅沟槽隔离区的表面比半导体衬底的表面低300～1500埃。本发明的LDMOS结构不仅减小了“导通”电阻，而且增加了击穿电压。

公开(公告)号：CN101593751A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200810212849.X

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤乾绍 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  王哲谊 ,  张毓华 ,  尤金德拉·雅达夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/872

Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。本发明的优点包括击穿电压的增加、漏电流的降低以及单位面积的开启电流的增加。