公开(公告)号：CN101174624B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710126295.7

申请日：2007-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李传英 ,  邓端理

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，在半导体衬底中，其中隔离结构在半导体衬底中定义区域；第一半导体区，其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中，其中第一半导体区具有第一导电型；第二半导体区，在第一半导体区上，其中第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及具有第一导电型的第三半导体区，在第二半导体区上，其中第三半导体区的至少一部分高于隔离结构的上表面。本发明能够克服现有技术的PRAM装置中隔离结构的深度小的缺点，改善选择器的扩充性。

公开(公告)号：CN1992268A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610146394.7

申请日：2006-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  林其渊 ,  李传英 ,  赵奕婷 ,  陈明贤

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体电容装置。该半导体电容装置包括：介电层以及堆叠电容结构。其中介电层设置于基底上；堆叠电容结构设置于介电层内，其包括第一金属－绝缘层－金属电容以及位于其上方且与其并联的第二金属－绝缘层－金属电容，其中第一及第二金属－绝缘层－金属电容具有各自的上电极板及下电极板与不同组成的电容介电层。本发明能够增加电容的电容量密度，同时维持低的电压线性系数。

公开(公告)号：CN100477220C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610173271.2

申请日：2006-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  李传英 ,  叶秉君

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。通过噪声隔离结构将位于衬底上的第一元件区域及第二元件区域隔离。上述噪声隔离结构包括一下沉区域，包围上述第一元件区域；以及一埋置层，其位于上述第一元件区域的下方且连接上述下沉区域；一深防护环，包围上述下沉区域；以及一深沟槽隔离区域，包围上述下沉区域。噪声隔离结构还包括一宽防护环，其位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域之间。上述下沉区域以及上述埋置层具有高不纯物浓度。可隔离分别位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域中的集成电路的噪声。通过本发明可大大提升位于集成电路中的数字电路及模拟电路之间的噪声隔离能力。

公开(公告)号：CN101174624A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710126295.7

申请日：2007-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李传英 ,  邓端理

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，在半导体衬底中，其中隔离结构在半导体衬底中定义区域；第一半导体区，其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中，其中第一半导体区具有第一导电型；第二半导体区，在第一半导体区上，其中第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及具有第一导电型的第三半导体区，在第二半导体区上，其中第三半导体区的至少一部分高于隔离结构的上表面。本发明能够克服现有技术的PRAM装置中隔离结构的深度小的缺点，改善选择器的扩充性。

公开(公告)号：CN1992272A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610173271.2

申请日：2006-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  李传英 ,  叶秉君

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。通过噪声隔离结构将位于衬底上的第一元件区域及第二元件区域隔离。上述噪声隔离结构包括一下沉区域，包围上述第一元件区域；以及一埋置层，其位于上述第一元件区域的下方且连接上述下沉区域；一深防护环，包围上述下沉区域；以及一深沟槽隔离区域，包围上述下沉区域。噪声隔离结构还包括一宽防护环，其位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域之间。上述下沉区域以及上述埋置层具有高不纯物浓度。可隔离分别位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域中的集成电路的噪声。通过本发明可大大提升位于集成电路中的数字电路及模拟电路之间的噪声隔离能力。