公开(公告)号：CN109727868B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201810213365.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  游明华

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括：在第一鳍的相对侧壁上形成第一间隔件，其中第一鳍突出到衬底之上；凹进第一鳍以在第一间隔件之间形成第一凹槽；使用烘烤工艺处理第一间隔件，其中，处理第一间隔件改变了第一间隔件的轮廓。该方法还包括在处理第一间隔件之后，在第一鳍的顶面上方外延生长第一半导体材料。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN113707607A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110901712.0

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政衡 ,  李宜静 ,  张嘉德

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明描述了一种半导体结构及其形成方法。该方法可包括在衬底上方形成鳍结构。该鳍结构可包括沟道层和所述沟道层与所述衬底之间的缓冲层。该方法可还包括在沟道层中形成凹槽结构。该凹槽结构可包括在缓冲层上方的底面。该方法可还包括在凹槽结构的底面上方形成第一外延层。该第一外延层可包括第一锗原子浓度。该方法可还包括在第一外延层上方形成第二外延层。该第二外延层可包括大于第一锗原子浓度的第二锗原子浓度。

公开(公告)号：CN106158753B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510172012.7

申请日：2015-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  李昆穆 ,  李启弘 ,  李资良

IPC: H01L21/8244 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了半导体器件的结构和方法。该半导体器件包括具有第一器件区和第二器件区的衬底。第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且第二器件区包括多个第二S/D区。该半导体器件还包括位于第一S/D区中的多个第一凹槽以及多个第二凹槽，每个第二S/D区中具有一个第二凹槽。该半导体器件还包括具有底部和顶部的第一外延部件，其中，每个底部均位于第一凹槽中的一个中，并且顶部位于第一S/D区上方。该半导体器件还包括多个第二外延部件，每个第二外延部件均具有位于第二凹槽中的一个中的底部。第二外延部件彼此分隔开。

公开(公告)号：CN109727868A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810213365.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  游明华

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括：在第一鳍的相对侧壁上形成第一间隔件，其中第一鳍突出到衬底之上；凹进第一鳍以在第一间隔件之间形成第一凹槽；使用烘烤工艺处理第一间隔件，其中，处理第一间隔件改变了第一间隔件的轮廓。该方法还包括在处理第一间隔件之后，在第一鳍的顶面上方外延生长第一半导体材料。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN109216280A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711294721.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  游明华

IPC: H01L21/8238

Abstract: 根据一些实施例，提供半导体装置的形成方法。上述方法包含形成隔离绝缘层于鳍结构上，其中鳍结构的第一部分由隔离绝缘层露出，鳍结构的第二部分镶嵌于隔离绝缘层内。上述方法亦包含形成介电层于鳍结构的第一部分的侧壁上。上述方法更包含移除位于源/漏极区内的鳍结构的第一部分和一部分的鳍结构的第二部分，藉此形成沟槽。此外，上述方法包含使用第一工艺或第二工艺的其中一者，以形成源/漏极外延结构于沟槽内，其中第一工艺包含增强外延成长工艺，其对于一优先选择的晶面具有一提升成长速率，且第二工艺包含使用调整蚀刻工艺，以减少源/漏极外延结构的宽度。

公开(公告)号：CN104659046B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410683088.1

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  吴政宪 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种器件包括第一半导体层，和位于第一半导体层上方的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。半导体区位于第二半导体层上面并且与第二半导体层接触，其中，半导体区的底面与第二半导体层的第一顶面接触。半导体区和第二半导体层包括不同的材料。半导体区的底面具有与第二半导体层的(551)表面平面接触的倾斜部分。本发明涉及具有减小的泄漏的CMOS器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103311297B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210593522.8

申请日：2012-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  林佑儒 ,  万政典 ,  吴政宪 ,  柯志欣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/15 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该FinFET器件包括超晶格层和应变层。该超晶格层由衬底支撑。该应变层设置在超晶格层上，并且提供了栅极沟道。栅极沟道由超晶格层产生应力。在实施例中，通过堆叠不同的硅锗合金或者堆叠其他的III-V半导体材料形成该超晶格层。本发明还提供了一种具有超晶格应激源的FinFET。

公开(公告)号：CN119486255A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411352843.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李宜静 ,  李政衡

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D62/17

Abstract: 本申请的实施例描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以小于第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113380709B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110592473.5

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李宜静 ,  李政衡

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以小于第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN111261522A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911205240.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在由半导体材料制成的沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，在第二阻挡层上形成第一功函调整层，去除第一功函调整层和第二阻挡层。在去除第一功函调整层和第二阻挡层之后，在栅极介电层上方形成第二功函调整层，并且在第二功函调整层上方形成金属栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。