显示器件及其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112289828B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202010708123.6

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 一种显示器件及其制造方法。所述显示器件包括半导体衬底、隔离层、发光层及第二电极。半导体衬底具有像素区及位于像素区周围的外围区。半导体衬底包括多个第一电极及驱动元件层。多个第一电极设置在像素区中且多个第一电极电连接到驱动元件层。隔离层设置在半导体衬底上。隔离层包括设置在外围区中的第一隔离图案,且第一隔离图案具有第一侧表面及与第一侧表面相对的第二侧表面。发光层设置在隔离层及多个第一电极上,且覆盖第一隔离图案的第一侧表面及第二侧表面。第二电极设置在发光层上。

    重布线路结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109727939A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201810339642.2

    申请日:2018-04-16

    Abstract: 本发明的实施例公开一种重布线路结构。重布线路结构包括第一导电结构、介电层及第二导电结构。介电层设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分。第二导电结构设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构,且包括第一导电层及第二导电层,所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层,其中所述第一导电层包括上表面,所述上表面在整个边缘处具有突起部。

    显示器件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112289828A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202010708123.6

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 一种显示器件及其制造方法。所述显示器件包括半导体衬底、隔离层、发光层及第二电极。半导体衬底具有像素区及位于像素区周围的外围区。半导体衬底包括多个第一电极及驱动元件层。多个第一电极设置在像素区中且多个第一电极电连接到驱动元件层。隔离层设置在半导体衬底上。隔离层包括设置在外围区中的第一隔离图案,且第一隔离图案具有第一侧表面及与第一侧表面相对的第二侧表面。发光层设置在隔离层及多个第一电极上,且覆盖第一隔离图案的第一侧表面及第二侧表面。第二电极设置在发光层上。

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