公开(公告)号：CN103109362B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201180043062.5

申请日：2011-09-13

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·A·韦斯特 ,  Y-J·朴

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种穿透衬底的通孔（TSV）芯片（200），其包括多个TSV（216），TSV（216）包括外部介电套管（221）和内部金属芯（220）以及凸出的TSV末端（217），凸出的TSV末端端部（217）包括从TSV管芯出现的侧壁。横向于凸出的TSV末端的钝化层（231）在凸出的TSV末端的侧壁的一部分上。在凸出的TSV末端的远侧部分缺少钝化层，从而提供内部金属芯的暴露部分。TSV末端包括球状远侧末端端部（217（a）），其包括第一金属层（241）和第二金属层（242），第一金属层（241）包括除焊料之外的第一金属，并且第二金属层（242）包括覆盖暴露末端部分的除焊料之外的第二金属。球状远侧末端端部覆盖TSV侧壁的一部分并在外部介电套管的最顶表面上方，并具有比在球状远侧末端端部下面的凸出的TSV末端的横截面积大≥25%的最大横截面积。

公开(公告)号：CN104701197B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410539418.X

申请日：2014-09-16

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： R·D·莫叶丝 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。

公开(公告)号：CN105845636B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610182673.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。

公开(公告)号：CN105280508B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410441271.0

申请日：2014-08-29

Applicant: 颀邦科技股份有限公司

Inventor： 吴非艰 ,  廖苍生 ,  黄静怡 ,  李俊德

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206

Abstract: 本发明是关于一种具有凸块结构的基板及其制造方法，该基板包括：半导体基板，具有本体、导接垫及保护层；凸块下金属层，电性连接该导接垫；以及凸块结构，包含铜层及镍层，该铜层位于该凸块下金属层与该镍层之间，该铜层与该凸块下金属层电性连接。该制造方法包括：在半导体基板上形成铜层后，借由控制形成于该铜层上的镍层厚度，以使该铜层与该镍层所组成的凸块结构在退火后，该凸块结构的硬度可符合要求，以避免该具有凸块的基板覆晶结合于玻璃基板时，造成该玻璃基板的破裂。

公开(公告)号：CN108305934A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201710728739.8

申请日：2017-08-23

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 吉间政志

IPC: H01L33/64 ,  F21S41/00 ,  F21V19/00 ,  F21W107/10 ,  F21W102/13

CPC classification number: H01L33/647 ,  F21S41/141 ,  F21S41/19 ,  F21S41/192 ,  F21S45/43 ,  F21S45/47 ,  F21V23/06 ,  F21V29/70 ,  F21V29/76 ,  F21V29/763 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L33/502 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H05K1/0204 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09854 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10416 ,  F21V19/00

Abstract: 本发明提供发光模块、移动体用照明装置以及移动体。发光模块(1)具备：绝缘基板(30)，具有作为一侧的主面的安装面(30m)及作为另一侧的主面的背面(30r)，在绝缘基板上设置有从安装面贯通到背面的贯通孔(38)；发光元件(10)，安装在安装面上；以及热传导部件(20)，配置在贯通孔，且与贯通孔的内壁(33)接触，热传导部件具备位移抑制部(24)，在安装面侧的端面(21)与发光元件热连接、且对热传导部件从背面侧向安装面侧的位移进行抑制，关于热传导部件的与绝缘基板的主面平行的截面的面积，在背面侧的端部的截面面积比安装面侧的端部的截面面积大。

公开(公告)号：CN107924878A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047840.0

申请日：2016-07-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 塞普里昂·艾米卡·乌卓

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L21/324 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13409 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件；藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子；并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面；以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度，所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。

公开(公告)号：CN107785347A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710733545.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金炳容 ,  黄晸护

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13649 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1366 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13676 ,  H01L2224/13678 ,  H01L2224/13679 ,  H01L2224/1368 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0665 ,  H01L23/49816

Abstract: 提供了一种半导体芯片和电子装置。该半导体芯片包括：基底；一个或更多个导电焊盘，设置在基底上；一个或更多个凸起，电连接到一个或更多个导电焊盘，其中，一个或更多个凸起包括：金属芯；聚合物层，设置在金属芯的表面的上方；导电涂层，设置在聚合物层的表面的上方并且电连接到一个或更多个导电焊盘。

公开(公告)号：CN107706117A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710675601.6

申请日：2017-08-09

Applicant: 商升特公司

Inventor： K.K.候 ,  J.克拉克 ,  J.麦克劳德

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/3107

Abstract: 本发明公开了单步封装。一种半导体装置，包括半导体晶片。在半导体晶片之上形成多个柱状凸块。在柱状凸块之上沉积焊料。当半导体晶片在载体上时，在形成柱状凸块之后，将半导体晶片单片化成多个半导体管芯。当半导体管芯保持在载体上时，在半导体管芯和柱状凸块周围沉积密封剂。密封剂覆盖在柱状凸块之间的半导体管芯的有源表面。

公开(公告)号：CN107623017A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710568790.7

申请日：2017-07-13

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 柳承洙 ,  梁正道 ,  赵正然

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/11 ,  H01L27/1214 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11011 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169

Abstract: 公开了显示设备及制造显示设备的方法，显示设备包括：柔性衬底，具有用于显示图像的显示区域和在显示区域外部的外围区域；第一焊盘电极，位于柔性衬底的外围区域中；以及驱动器，连接至第一焊盘电极。驱动器包括：电路板，包括驱动电路；第二焊盘电极，位于电路板的一侧上并且面向第一焊盘电极；凸起结构，位于第二焊盘电极的一侧上并且具有椭圆形横截面；以及凸块电极，位于凸起结构的一侧上并且连接至第一焊盘电极。凸块电极包括覆盖凸起结构的柱以及从柱的一侧延伸并且向第一焊盘电极突出的凸起部分。

公开(公告)号：CN107452692A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15172 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

Abstract: 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。