公开(公告)号：CN103996671B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310187908.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/76262 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。

公开(公告)号：CN103855140B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN103855140A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN103531619B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310119631.0

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  黄坤铭 ,  林明毅

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66931 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 本公开提供了一种具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是横向绝缘栅极双极结型晶体管(LIGBT)及其形成方法。该器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，其具有漂移区域、漂移区域中的两个相反掺杂的阱区域、位于漂移区域和第二阱区域上方并嵌入其中的两个绝缘结构、栅极结构以及源极区域，该源极区域处在第二阱区域中且位于嵌在第二阱区域中的第三阱区域上方。第三阱区域设置在栅极结构和第二绝缘结构之间。

公开(公告)号：CN103996671A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310187908.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/76262 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。

公开(公告)号：CN103531619A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310119631.0

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  黄坤铭 ,  林明毅

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66931 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/063

Abstract: 本发明提供了一种具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是横向绝缘栅极双极结型晶体管(LIGBT)及其形成方法。该器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，其具有漂移区域、漂移区域中的两个相反掺杂的阱区域、位于漂移区域和第二阱区域上方并嵌入其中的两个绝缘结构、栅极结构以及源极区域，该源极区域处在第二阱区域中且位于嵌在第二阱区域中的第三阱区域上方。第三阱区域设置在栅极结构和第二绝缘结构之间。