公开(公告)号：CN107464761A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201610857579.2

申请日：2016-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 ,  廖信宏 ,  邱于庭 ,  谢静华

IPC: H01L21/58

Abstract: 本发明的一实施例提供一种半导体制程中的多个安装构件的方法。前述方法包含提供一具有多个穿孔的定位板。前述方法还包含供应多个构件于前述定位板上，其中每一个构件具有一纵长部。前述方法也包含进行一构件对准制程，使多个构件的纵长部放入穿孔内。此外，前述方法包含连接一基底至多个构件，且多个构件的纵长部是于穿孔内，并移除定位板。

公开(公告)号：CN110783285A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910700677.9

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佩璇 ,  谢静华 ,  黄见翎 ,  邱于庭 ,  郭瑞昌

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01Q1/22

Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、设置在芯片封装上的核心介电层、以及设置在与芯片封装相对的核心介电层上的天线图案。芯片封装包括半导体芯片、包封半导体芯片的绝缘包封体、以及电耦合到半导体芯片的重布线结构。重布线结构包括位在芯片封装的最外侧处的第一电路图案以及设置在第一电路图案与绝缘包封体之间的图案化介电层。核心介电层接触第一电路图案。核心介电层与图案化介电层具有不同的材料。天线图案电耦合到芯片封装。

公开(公告)号：CN106601696A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610657546.3

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 ,  廖信宏 ,  邱于庭

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5388 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/19042 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49838

Abstract: 一种封装件结构包括螺旋线圈、再分布层(RDL)和模制材料。模制材料填充螺旋线圈的间隙。螺旋线圈连接至RDL。一种扇出封装件结构包括螺旋线圈、RDL和管芯。螺旋线圈具有大于约2的深宽比。RDL连接至螺旋线圈。管芯通过RDL连接至螺旋线圈。一种半导体封装方法包括；提供载体；在载体上粘合螺旋线圈；在载体上粘合管芯；在载体上分配模制材料以填充螺旋线圈和管芯之间的间隙；以及在载体上方设置再分布层(RDL)以将螺旋线圈与管芯连接。本发明实施例涉及封装结构、扇出封装结构及其方法。

公开(公告)号：CN222051703U

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202420264751.3

申请日：2024-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱于庭 ,  黄英叡 ,  黄见翎 ,  谢静华

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型实施例公开一种执行层压工艺的设备。所述设备包括工艺腔包括上腔室、下腔室，以及所述上腔室与所述下腔室之间的内部空间。所述下腔室可操作以支撑衬底，且所述上腔室可操作以承载将被层压在所述衬底上的工艺薄膜。所述设备还包括配置于所述工艺腔的所述上腔室的保护薄膜，所述工艺薄膜与所述保护薄膜的平坦光滑的表面贴合。