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公开(公告)号:CN112103256B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN201910966876.4
申请日:2019-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。在本揭露实施例中,半导体装置包括封装组件,所述封装组件包括:多个集成电路管芯;包封体,位于所述多个集成电路管芯周围;重布线结构,位于所述包封体及所述多个集成电路管芯之上,所述重布线结构电耦合到所述多个集成电路管芯;多个插座,位于所述重布线结构之上,所述多个插座电耦合到所述重布线结构;以及支撑环,位于所述重布线结构之上且环绕所述多个插座,所述支撑环沿所述重布线结构的最外边缘设置,所述支撑环在横向上至少部分地与所述重布线结构交叠。
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公开(公告)号:CN114709187A
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202210223084.X
申请日:2022-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种封装结构包括载板、管芯及第一重布线结构。载板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。载板包括绝缘本体及嵌置在绝缘本体中的载板穿孔(TCV)。管芯设置在载板的第一表面上。管芯与TCV电连接。第一重布线结构设置在载板的第二表面上。
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公开(公告)号:CN110391146B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201910318651.8
申请日:2019-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括:拾取第一封装组件,去除第一封装组件的电连接件上的氧化物层,在去除氧化物层之后,将第一封装组件放置在第二封装组件上,以及将第一封装组件接合到第二封装组件。本发明的实施例还涉及利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置。
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公开(公告)号:CN112397395A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN202010376320.2
申请日:2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于半导体封装的方法,包含在载体上方涂布离型膜。载体包含具有第一热膨胀系数(CTE)的第一材料和具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数的第二材料。方法进一步包含将器件管芯放置在离型膜上方、将器件管芯包封在包封体中以及平面化包封体直到露出器件管芯。本发明校正由扇出型结构产生的翘曲。
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公开(公告)号:CN109585312A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811122570.2
申请日:2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 一种方法包括将第一封装组件和第二封装组件放置在载体上方。第一封装组件的第一导电柱和第二封装组件的第二导电柱朝向载体。该方法还包括将第一封组件和第二封装组件密封在密封材料中;将第一封装组件和第二封装组件从载体脱粘;平坦化第一导电柱、第二导电柱和密封材料,以及形成再分布线以电连接至第一导电柱和第二导电柱。本发明实施例涉及一种封装件及其形成方法,更具体地,涉及扇出封装工艺中的对准凸块。
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公开(公告)号:CN105291344B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201410445275.6
申请日:2014-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67126 , B29C45/0046 , B29C45/02 , B29C45/14655 , B29C45/14836 , B29C45/34 , B29C2045/0049 , B29C2045/14663 , B29L2031/34 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L24/18 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/18161 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种包括包封模具的装置,该包封模具包括顶部和具有环形形状的环形边。环形边位于顶部的边缘的下面并且连接至顶部的边缘。环形边具有注入端口和排气端口。模塑导向套件被配置为插入注入端口内。模塑导向套件包括具有弯曲的前边缘的前侧壁。本发明还提供了一种使用该装置的方法。
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公开(公告)号:CN107464761A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201610857579.2
申请日:2016-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/58
Abstract: 本发明的一实施例提供一种半导体制程中的多个安装构件的方法。前述方法包含提供一具有多个穿孔的定位板。前述方法还包含供应多个构件于前述定位板上,其中每一个构件具有一纵长部。前述方法也包含进行一构件对准制程,使多个构件的纵长部放入穿孔内。此外,前述方法包含连接一基底至多个构件,且多个构件的纵长部是于穿孔内,并移除定位板。
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公开(公告)号:CN105895607A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201510657643.8
申请日:2015-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/4828 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L2021/6027 , H01L2021/60277 , H01L2021/603 , H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/49 , H01L21/4889
Abstract: 半导体封装件包括载体、至少一个粘合剂部分、多个微引脚和管芯。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。粘合剂部分设置在第一表面上,并且多个微引脚设置在粘合剂部分中。管芯设置在没有微引脚的剩余的粘合剂部分上。本发明的实施例还涉及用于半导体封装件的互连结构和制造互连结构的方法。
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公开(公告)号:CN102214621B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201110070897.1
申请日:2011-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/075 , H01L33/64 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L33/647 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/32506 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2933/0066 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置封装体及其制造方法,其中,具有穿硅插塞(或导孔)的基板可不需使用导电凸块。工艺流程非常简单且有成本效益。本结构将个别的硅穿孔、重分布层及导电凸块结构结合至单一结构中。经由结合个别的结构,可以得到一具有高散热能力的低电阻电性连接。另外,具有穿硅插塞(或导孔,或沟槽)的基板也使得多个芯片可以封装在一起。穿硅沟槽可围绕一个或多个芯片,以在工艺中避免铜扩散到邻近装置。另外,多个具有相似或相异功能的芯片可整合在硅穿孔基板上。具不同图案的穿硅插塞可用在一半导体芯片之下以增进散热及解决工艺问题。
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公开(公告)号:CN102024769B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201010284468.X
申请日:2010-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/16507 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01043 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/01083 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明一实施例提供一种集成电路元件,包括一半导体基板;一接垫部分,位于半导体基板上;以及一金属化结构,位于接垫部分上并与接垫部分电性连接,其中金属化结构包括一第一金属层,位于接垫部分上;一第一保护层,位于第一金属层上;以及一第二金属层,位于第一保护层上,其中第一保护层为一包含锗、硅、氮或前述的组合的含铜层。本发明有助于提高元件的可靠度以及增加使用寿命并降低制作成本。
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