公开(公告)号：CN106206520A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610674177.9

申请日：2010-10-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  吴逸文 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供用于铜柱凸块技术的L型侧壁保护工艺，L型侧壁保护结构由至少一非金属材料层形成。本发明还提供一种集成电路元件、其形成方法及封装组件，该集成电路元件包括：一凸块下金属层和一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且凸块结构包括一导电柱以及一焊锡层在该导电柱之上，该半导体基底包括一表面区邻接凸块结构的侧壁表面，凸块下金属层设置于凸块结构与半导体基底之间，且凸块下金属层的侧壁和凸块结构的侧壁组成一垂直于半导体基底的表面的平面；以及一L型保护结构，覆盖凸块结构的侧壁表面，且延伸至半导体基底的表面区。本发明可以应用在微细间距的凸块架构。

公开(公告)号：CN103094168B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210058711.5

申请日：2012-03-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  黄英叡 ,  萧义理

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/67144 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种装置包括导环以及安装在该导环上的接合头。该接合头被配置为沿着导环循环运动。该接合头被配置为在循环过程中拾取管芯并放置该管芯。本发明提供了封装工艺中的拾取和放置工具。

公开(公告)号：CN102683255B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110419098.0

申请日：2011-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧义理 ,  余振华 ,  刘重希 ,  黄见翎 ,  黄英叡

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67346 ,  Y10T29/49998 ,  Y10T156/10 ,  Y10T279/23

摘要： 一种便携式静电吸盘载具包括：支持架，具有电介质顶面；和双极电极，位于电介质顶面的下方。双极电极包括：正电极和与正电极电绝缘的负电极。以交替方式将正电极和负电极分布在与电介质顶面基本平行的平面内。本发明还提供了一种使用静电力的基板组件载具。

公开(公告)号：CN102074487B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010552492.7

申请日：2010-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  萧义理 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14

摘要： 本发明提供一种半导体组装结构与其形成方法。方法包括清洁一包含铜的连接结构，且此连接结构形成于一基材之上；施加一冷锡到连接结构；施加一热锡到连接结构；以及旋转润洗(spin rising)与干燥(drying)连接结构。本发明可以减少位于柱状结构或凸块的铜-锡界面中的孔洞数目与尺寸。

公开(公告)号：CN102386114B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110072481.3

申请日：2011-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  黄英叡 ,  林正忠 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/203 ,  B23K3/087 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种芯片接合的方法，包含提供第一工件，以及将第二工件附着在第一工件上，焊料凸块设置在第一工件与第二工件之间，使用加热工具的加热头加热第二工件，熔融焊料凸块，在加热第二工件的步骤之后，允许第一工件与第二工件中的一个在水平方向自由地移动，以自行对准第一与第二工件，在允许第一工件与第二工件中的一个移动的步骤之后，降低加热头的温度，直至第一焊料凸块固化形成第二焊料凸块。本发明通过将芯片粘着工艺与回焊工艺分开在两个独立的工具模块中进行，可改善TCB接合的生产率。此外，使用多头加热工具可进一步地改善生产率。夹具型基底载体使得基底可以在水平方向移动，并且使得基底自行对准芯片，改善芯片与基底之间对准的准确度。

公开(公告)号：CN102386114A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110072481.3

申请日：2011-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  黄英叡 ,  林正忠 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/203 ,  B23K3/087 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种芯片接合的方法，包含提供第一工件，以及将第二工件附着在第一工件上，焊料凸块设置在第一工件与第二工件之间，使用加热工具的加热头加热第二工件，熔融焊料凸块，在加热第二工件的步骤之后，允许第一工件与第二工件中的一个在水平方向自由地移动，以自行对准第一与第二工件，在允许第一工件与第二工件中的一个移动的步骤之后，降低加热头的温度，直至第一焊料凸块固化形成第二焊料凸块。本发明通过将芯片粘着工艺与回焊工艺分开在两个独立的工具模块中进行，可改善TCB接合的生产率。此外，使用多头加热工具可进一步地改善生产率。夹具型基底载体使得基底可以在水平方向移动，并且使得基底自行对准芯片，改善芯片与基底之间对准的准确度。

公开(公告)号：CN101645410B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910160323.6

申请日：2009-08-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  黄见翎

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/68742 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： 本发明实施例提供一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器，该晶片承载装置包括导热层，设置于支撑基座上，导热层耦接至加热电路；多个孔洞，穿过导热层及支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至加热电路且延伸穿过孔洞并超出导热层，每一导热支撑杆具有顶端，用以与晶片直接接触。本发明能够使晶片在制造过程中保持基底温度均匀一致，不会造成弓起或弯曲现象产生，提高产品良率及降低制造成本。

公开(公告)号：CN102347284A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110037676.4

申请日：2011-02-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 ,  何明哲 ,  刘重希 ,  黄见翎 ,  林正忠 ,  蔡惠榕 ,  林正怡

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13584 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13794 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13817 ,  H01L2224/13818 ,  H01L2224/1382 ,  H01L2224/13849 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/13857 ,  H01L2224/1386 ,  H01L2224/13866 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。

公开(公告)号：CN102315182A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010621954.6

申请日：2010-12-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  黄英叡 ,  林正怡 ,  雷弋易 ,  林正忠 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体芯片及其制造方法，其中半导体芯片包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接焊盘，该连接焊盘上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，该顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱的顶面上。该镍层的底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度的比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层的该顶面上。本发明可减少导电柱与焊料之间的界面因应力而产生的破裂。

公开(公告)号：CN102222647A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010534192.6

申请日：2010-11-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 ,  吴逸文 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体裸片，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，形成于基底和接合垫上方，聚酰亚胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于聚酰亚胺层上，硅基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口的侧壁上方，且接触接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。本发明各实施例可用来改进传统焊锡凸块工艺的缺点；在各实施例中，硅基保护层保护聚酰亚胺层，防止其受到后续等离子体清洁工艺的损伤；聚酰亚胺层中开口的宽度与硅基保护层中开口的宽度相对于接合垫的宽度的比例的适当范围可改进构件的良率。