公开(公告)号：CN106158820B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201610657408.5

申请日：2013-07-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈天赐 ,  李俊哲 ,  王圣民

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一封装基板包括一中心部、一上电路层及数个柱体。该多个柱体位于该上电路层上，且从该上电路层朝上。该多个柱体的顶面大致上共平面。该多个柱体提供电性连接至一半导体晶粒。借此，改善该基板及该半导体晶粒间的焊料结合可靠度。

公开(公告)号：CN104282648B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310317211.3

申请日：2013-07-25

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  姚进财 ,  庄旻锦 ,  黄富堂

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：基板，其具有基板本体与形成于该基板本体上的至少一金属垫，该金属垫具有第一表面与形成于该第一表面的至少一开孔；半导体组件，其具有至少一焊垫；导电组件，其形成于该金属垫与该焊垫之间及该金属垫的开孔内；以及胶体，其形成于该基板与该半导体组件之间，以包覆该导电组件。藉此，本发明能强化该导电组件与该金属垫间的接合力，以提升该半导体装置的良率。

公开(公告)号：CN102484949B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201080039982.5

申请日：2010-06-22

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： M.齐茨尔施珀格 ,  S.格雷奇

IPC: H01L33/48 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/1084 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电子组件，具有：基体（100）和电子器件（2），所述基体具有上侧（1A）以及与上侧相对的下侧（1B），其中基体（100）在其下侧（1B）处具有连接位置（A1、A2），所述电子器件在基体（100）处布置在基体（100）的上侧（1A）处，其中基体（100）具有至少一个侧面（3），该至少一个侧面具有带有第一区域（4A）和第二区域（4B）的至少一个检查位置（4），其中第二区域（4B）构造为第一区域（4A）中的凹处（5），第一区域（4A）和第二区域（4B）包含不同的材料。

公开(公告)号：CN104701288A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410734193.3

申请日：2014-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓祥 ,  陈威宇 ,  林威宏 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明提供了一种使用改进的焊料接合结构的半导体器件封装件及其形成方法。该封装件包括具有比顶部更薄的底部的焊料接合件。底部由模塑料围绕而顶部未由模塑料围绕。该方法包括使用离型膜在中间焊料接合件周围沉积并且形成液态模塑料，和然后蚀刻模塑料以降低高度。生成的焊料接合件在模塑料和焊料接合件的界面不具有腰部。与形成时的模塑料相比，模塑料在蚀刻之后具有大于约3微米的较大的粗糙度。本发明涉及用于晶圆级封装件中的球栅阵列的焊料接合结构。

公开(公告)号：CN102842564A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210335201.8

申请日：2012-09-12

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 谭小春

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/1751 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H02M3/1588 ,  H03K17/56 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10962 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种集成开关电源的倒装封装装置及其倒装封装方法。所述倒装封装结构包括一重分布层，其重分布层单元的第一表面用以连接所述第一组凸块中的电极性相同的凸块；所述重分布层单元的第二表面包括一组第二组凸块，所述第二组凸块用以将所述电极性进行重新排布；一引线框架的一组引脚的第一表面与所述第二组凸块中的电极性相同的凸块连接，以使所述引脚具有相应的电极性；一倒装片封装结构，用以将所述硅片、所述第一组凸块、所述第二组凸块和所述引线框架进行封装，并利用所述引线框架的第二表面来实现所述集成开关电源与外部PCB板之间的电气连接。

公开(公告)号：CN102484949A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039982.5

申请日：2010-06-22

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： M.齐茨尔施珀格 ,  S.格雷奇

IPC: H05K3/34 ,  H01L33/48

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/1084 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 说明一种电子组件，具有：基体（100）和电子器件（2），所述基体具有上侧（1A）以及与上侧相对的下侧（1B），其中基体（100）在其下侧（1B）处具有连接位置（A1、A2），所述电子器件在基体（100）处布置在基体（100）的上侧（1A）处，其中基体（100）具有至少一个侧面（3），该至少一个侧面具有带有第一区域（4A）和第二区域（4B）的至少一个检查位置（4），其中第二区域（4B）构造为第一区域（4A）中的凹处（5），第一区域（4A）和第二区域（4B）包含不同的材料。

公开(公告)号：CN104701288B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410734193.3

申请日：2014-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓祥 ,  陈威宇 ,  林威宏 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明提供了一种使用改进的焊料接合结构的半导体器件封装件及其形成方法。该封装件包括具有比顶部更薄的底部的焊料接合件。底部由模塑料围绕而顶部未由模塑料围绕。该方法包括使用离型膜在中间焊料接合件周围沉积并且形成液态模塑料，和然后蚀刻模塑料以降低高度。生成的焊料接合件在模塑料和焊料接合件的界面不具有腰部。与形成时的模塑料相比，模塑料在蚀刻之后具有大于约3微米的较大的粗糙度。本发明涉及用于晶圆级封装件中的球栅阵列的焊料接合结构。

公开(公告)号：CN106601696A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610657546.3

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 ,  廖信宏 ,  邱于庭

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5388 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/19042 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49838

Abstract: 一种封装件结构包括螺旋线圈、再分布层(RDL)和模制材料。模制材料填充螺旋线圈的间隙。螺旋线圈连接至RDL。一种扇出封装件结构包括螺旋线圈、RDL和管芯。螺旋线圈具有大于约2的深宽比。RDL连接至螺旋线圈。管芯通过RDL连接至螺旋线圈。一种半导体封装方法包括；提供载体；在载体上粘合螺旋线圈；在载体上粘合管芯；在载体上分配模制材料以填充螺旋线圈和管芯之间的间隙；以及在载体上方设置再分布层(RDL)以将螺旋线圈与管芯连接。本发明实施例涉及封装结构、扇出封装结构及其方法。

公开(公告)号：CN104282648A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310317211.3

申请日：2013-07-25

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  姚进财 ,  庄旻锦 ,  黄富堂

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：基板，其具有基板本体与形成于该基板本体上的至少一金属垫，该金属垫具有第一表面与形成于该第一表面的至少一开孔；半导体组件，其具有至少一焊垫；导电组件，其形成于该金属垫与该焊垫之间及该金属垫的开孔内；以及胶体，其形成于该基板与该半导体组件之间，以包覆该导电组件。藉此，本发明能强化该导电组件与该金属垫间的接合力，以提升该半导体装置的良率。

公开(公告)号：CN104253106A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410291017.7

申请日：2014-06-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·具 ,  S·L·许

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/17 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/90 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 说明了具有局部过孔的金属－绝缘体－金属管芯上电容器。在一个示例中，在半导体管芯中形成第一和第二电源网格层。电源网格层具有电源轨。在电源网格层之间的管芯的金属层中形成第一和第二金属板。全过孔从所述第一电源网格层的第一极性的电源轨延伸到第二金属板的第一侧，并从与金属板的所述第一侧相对的所述第二金属板的第二侧延伸到所述第二电源网格层的第一极性的电源轨。局部过孔从所述第二电源网格层的第一极性的电源轨延伸，在所述第二金属板的所述第二侧终止。