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公开(公告)号:CN107204281A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201710140003.9
申请日:2017-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0043 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0332 , H01L21/76892
Abstract: 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法,所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中,光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说,EUV吸收元件包括第一金属类型,桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中,对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后,对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。