公开(公告)号：CN103325831B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210587451.0

申请日：2012-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马大钧 ,  吴政宪 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区域具有与衬底的顶面既不平行也不垂直的面。本发明提供了用于FinFET的源极/漏极轮廓。

公开(公告)号：CN119050056A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202410386679.6

申请日：2024-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄严 ,  蔡济印 ,  张哲荣 ,  林正辉 ,  马大钧

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种形成堆叠晶体管的方法，包含：利用在基板下方沉积至低锗百分比的硅锗层。基板用于形成场效晶体管结构。在形成场效晶体管结构之后，硅锗层经氧化以将锗驱送至硅锗层的集中子层。集中子层用作移除硅锗层的氧化部分的停止层。

公开(公告)号：CN111128744A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911053915.8

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马大钧 ,  李益诚 ,  梁品筑 ,  赵晟博 ,  颜政雄 ,  陈俊仁 ,  郑培仁 ,  李启弘 ,  陈科维

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在一实施例中，一方法包含：从基底延伸形成第一鳍，基底包含硅，第一鳍包含硅锗；在第一鳍的周围形成隔离区，在形成隔离区期间在第一鳍上形成氧化层；以氢基蚀刻工艺从第一鳍移除氧化层，在氢基蚀刻工艺之后，第一鳍的表面处的硅以氢为尾基；脱附第一鳍的表面处的硅，以将硅去钝化；以及以第一鳍的次表面的锗交换第一鳍的表面处去钝化的硅。

公开(公告)号：CN119050057A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202410472059.4

申请日：2024-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡济印 ,  林正辉 ,  庄严 ,  张哲荣 ,  马大钧 ,  李啟弘

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供一种形成堆叠晶体管的方法。一种代表性方法可包括对第一虚设纳米结构、第二虚设纳米结构和半导体纳米结构进行图案化。半导体纳米结构可设置于第一虚设纳米结构与第二虚设纳米结构之间。第一虚设纳米结构可包含第一半导体材料而第二虚设纳米结构可包含超晶格结构。代表性方法亦可包括进行蚀刻工艺，蚀刻工艺使第一虚设纳米结构凹陷以形成侧壁凹槽且同时移除第二虚设纳米结构以形成开口。蚀刻工艺以比蚀刻第一半导体材料更快的速度选择性地蚀刻超晶格结构。代表性方法可进一步包括分别在侧壁凹槽及开口中形成内部间隔物及隔离结构。

公开(公告)号：CN110875188A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910768353.9

申请日：2019-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜政雄 ,  马大钧 ,  苏建彰 ,  陈俊仁 ,  郑培仁 ,  李启弘 ,  陈科维

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供半导体装置的形成方法。装置的形成方法为提供含硅的基板，且基板具有半导体鳍状物自主要表面凸起。形成衬垫层与浅沟槽隔离区，以与半导体鳍状物相邻。沉积硅盖于半导体鳍状物上。硅盖由半导体鳍状物上的结晶硅层，以及该衬垫层与该浅沟槽隔离区上的非晶硅部分所组成。进行氯化氢蚀刻烘烤工艺，以移除衬垫层与浅沟槽隔离区上的非晶硅部分。

公开(公告)号：CN118983337A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410109793.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李益诚 ,  林政纬 ,  马大钧

IPC: H01L29/78

Abstract: 本申请公开了半导体器件中的应力衬里。公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括衬底、被设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、与纳米结构沟道区域相邻设置的源极/漏极(S/D)区域、被设置在S/D区域上的蚀刻停止层(ESL)、被设置在蚀刻停止层上并且被配置为在纳米结构沟道区域中提供压缩应力的应力衬里、被设置在应力衬里上的层间电介质(ILD)层以及被设置在S/D区域、ESL、应力衬里和ILD层中的接触结构。

公开(公告)号：CN103325831A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210587451.0

申请日：2012-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马大钧 ,  吴政宪 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区域具有与衬底的顶面既不平行也不垂直的面。本发明提供了用于FinFET的源极/漏极轮廓。

公开(公告)号：CN217655884U

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202221819599.8

申请日：2022-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李益诚 ,  梁品筑 ,  马大钧 ,  郑培仁 ,  杨育佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体装置包括半导体鳍、半导体衬垫以及浅沟槽隔离区域。半导体鳍自基板延伸，半导体鳍包括第一部分以及第二部分，第二部分位于第一部分下方。半导体衬垫位于半导体鳍的第二部分的多个侧壁上。浅沟槽隔离区域邻近于半导体鳍，其中浅沟槽隔离区域的最顶点所处的平面位于半导体衬垫的最顶表面所处的平面与半导体鳍的第一部分的最底表面所处的平面之间。