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公开(公告)号：CN114613728A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210108935.6
申请日：2022-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417
Abstract: 本公开涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。本文公开了用于增强多栅极器件(例如，鳍状场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET)的性能的外延源极/漏极结构，以及制造外延源极/漏极结构的方法。一种示例性器件包括电介质衬底。该器件还包括沟道层、设置在沟道层之上的栅极、以及设置为与沟道层相邻的外延源极/漏极结构。沟道层、栅极和外延源极/漏极结构被设置在电介质衬底之上。外延源极/漏极结构包括具有第一掺杂剂浓度的内部部分和具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度的外部部分。内部部分与电介质衬底实体地接触，并且外部部分被设置在内部部分和沟道层之间。在一些实施例中，外部部分与电介质衬底实体地接触。
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公开(公告)号：CN119744001A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411818476.6
申请日：2024-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有前侧以及后侧的衬底、设置在所述衬底的所述前侧上的源极/漏极结构、包括用导电材料填充的沟槽的背侧通孔，所述沟槽暴露在所述衬底的背侧处、延伸穿过所述衬底、以及电耦合至所述源极/漏极结构，以及包括设置在所述衬底与所述背侧通孔之间并且将所述衬底与所述背侧通孔分隔的电介质材料的隔离层，其中所述隔离层选择性地覆盖在所述衬底与所述背侧通孔之间的所述沟槽的多个侧壁的第一部分，并且不覆盖所述沟槽的所述多个侧壁的第二部分。
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公开(公告)号：CN115020405A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210452256.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/033
Abstract: 本公开涉及用于互连的形成的一次性硬掩膜。本文公开了一种互连制造方法，该方法在源极/漏极接触件形成期间在栅极结构之上使用一次性蚀刻停止硬掩模，并且在栅极接触件形成之前用电介质特征(在一些实施例中，介电常数低于一次性蚀刻停止硬掩模的电介质层的介电常数的电介质层)代替一次性蚀刻停止硬掩模。示例性器件包括接触蚀刻停止层(CESL)以及设置在栅极结构之上的电介质特征，该CESL具有被间隔分离的第一侧壁CESL部分和第二侧壁CESL部分，其中电介质特征和栅极结构填充第一侧壁CESL部分和第二侧壁CESL部分之间的间隔。电介质特征包括电介质衬里之上的体电介质。电介质衬里将体电介质与栅极结构和CESL分离。
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公开(公告)号：CN114597172A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210020504.4
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，形成半导体装置的例示性方法包括形成从基板的前侧延伸的鳍片结构，凹蚀鳍片结构的源极区以形成源极开口，在源极开口下方形成半导体插塞，平坦化基板以从基板的背侧露出半导体插塞，进行预非晶布植(pre‑amorphous implantation,PAI)制程使基板非晶化，用介电层替换非晶化基板，用背侧源极接触件替换半导体插塞。通过进行PAI制程，将晶体半导体非晶化且可实质上移除。因此，可有利地改善半导体结构的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN113725278A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110378362.4
申请日：2021-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开一种半导体装置与其形成方法。示例性的半导体装置包括介电层，形成于电源轨上；底部半导体层，形成于介电层上；背侧间隔物，沿着底部半导体层的侧壁；导电结构，接触介电层的侧壁与背侧间隔物的侧壁；多个通道半导体层，位于底部半导体层上，其中通道半导体层向上堆叠并彼此分开；金属栅极结构，包覆每一通道半导体层；以及外延的源极/漏极结构，接触每一通道半导体层的侧壁，其中外延的源极/漏极结构接触导电结构，且导电结构接触电源轨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270364A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110325260.6
申请日：2021-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成接触导孔开口于第一介电层中，其中接触导孔开口暴露出接触蚀刻停止层(CESL)的第一部分。上述方法还包含蚀刻被接触导孔开口暴露出的接触蚀刻停止层的第一部分与接触导孔开口的邻近的横向部分，以暴露出源极/漏极接触件并形成具有多个孔洞的扩大的接触导孔开口，所述孔洞设置于该扩大的接触导孔开口的底部的任一侧上。上述方法还包含沉积第一金属层于扩大的接触导孔开口内与所述孔洞内以提供接触导孔与被暴露出的源极/漏极接触件接触。
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公开(公告)号：CN112563243A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010830162.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 公开了一种半导体装置，源极/漏极位于基板上。源极/漏极接点位于源极/漏极上。第一通孔位于源极/漏极接点上。第一通孔具有横向凸出的底部，与位于横向凸出的底部上的顶部。
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公开(公告)号：CN118824952A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410849213.5
申请日：2024-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/41
Abstract: 示例性器件包括：前侧电源轨，设置在衬底的前侧上方；背侧电源轨，设置在衬底的背侧上方；外延源极/漏极结构，设置在前侧电源轨和背侧电源轨之间。外延源极/漏极结构通过前侧源极/漏极接触件连接至前侧电源轨。外延源极/漏极结构通过背侧源极/漏极通孔连接至背侧电源轨。背侧源极/漏极通孔设置在衬底中，并且介电层设置在衬底和背侧电源轨之间。背侧源极/漏极通孔延伸穿过介电层和衬底。前侧硅化物层可以位于前侧源极/漏极接触件和外延源极/漏极结构之间，并且背侧硅化物层可以位于背侧源极/漏极接触件和外延源极/漏极结构之间，从而使得外延源极/漏极结构位于硅化物层之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112582405B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN115020495A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210492122.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 半导体器件结构包括形成在衬底上方的纳米结构。该结构还包括形成在纳米结构上方和周围的栅极结构。该结构还包括在纳米结构上方的栅极结构的侧壁上方形成的间隔件层。该结构还包括邻近间隔件层形成的源极/漏极外延结构。该结构还包括形成在源极/漏极外延结构上方的接触结构，以及形成在间隔件层和接触结构之间的空气间隔件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
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