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公开(公告)号：CN109817603A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810995566.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L29/49
Abstract: 导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。
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公开(公告)号：CN119162539A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411078877.2
申请日：2024-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/14 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67
Abstract: 一种混合还原物理气相沉积法及物理气相沉积设备，方法包含将晶圆定位在物理气相沉积设备的静电吸盘上，且晶圆包含暴露出导电特征的开口。设定晶圆的温度为室温。通过物理气相沉积设备在开口处沉积钨薄膜，且钨薄膜包含位于从开口暴露的导电特征的上表面上的底部、位于开口延伸穿过的介电层的上表面的顶部、以及位于开口暴露出的介电层的侧壁上的侧壁部分。移除开口上方钨薄膜的顶部和侧壁部分。通过化学气相沉积操作选择性地沉积钨，且在开口中的底部上沉积钨栓塞。
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公开(公告)号：CN111244027A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911203694.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体结构及其形成方法，提供了垂直内连线结构及其形成方法。可以通过用导电材料层部分填充穿过一个或多个介电层的第一开口来形成垂直内连线结构。于介电层中形成第二开口，使得在部分填充导电材料层后的第一开口的深度接近第二开口的深度。然后可以同时填充第一开口及第二开口的剩余部分。
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公开(公告)号：CN111128858A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911044092.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 提供利用双电阻率导电材料形成垂直传导和横向传导的低成本电阻器结构的方法。使用单个沉积工艺步骤将双电阻率导电材料沉积于介电层的开口中。通过以杂质预处理介电材料的一部分来稳定钨的高电阻率β相。介电材料中含有杂质的部分包含横向邻近需要高电阻率β-W的区域。在后续的钨沉积步骤期间，杂质可能会扩散出来并掺入钨中，借此使金属稳定在高电阻率β-W相中。在未经杂质预处理的区域中，β-W转变为钨的低电阻率α相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817603B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201810995566.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H10D64/66
Abstract: 导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。
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公开(公告)号：CN112582405B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN112582405A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN110729246A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910015643.6
申请日：2019-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。
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公开(公告)号：CN220155547U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321262308.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置结构，包括：介电层，设置在外延源极/漏极区上方；以及导电部件，设置在介电层之中。导电部件包括：金属衬层，包括第一材料；金属填充件，被金属衬层围绕。金属填充件包括具有第一裸片尺寸的第一材料。导电部件还包括：金属盖，设置在金属衬层与金属填充件上，金属盖包括具有第二裸片尺寸的第一材料，第二裸片尺寸不同于第一裸片尺寸。
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