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公开(公告)号：CN111244027A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911203694.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体结构及其形成方法，提供了垂直内连线结构及其形成方法。可以通过用导电材料层部分填充穿过一个或多个介电层的第一开口来形成垂直内连线结构。于介电层中形成第二开口，使得在部分填充导电材料层后的第一开口的深度接近第二开口的深度。然后可以同时填充第一开口及第二开口的剩余部分。
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公开(公告)号：CN106952870A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710010166.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112582405B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN112582405A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011052596.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。具有第一通孔层配置的第一通孔、具有第二通孔层配置的第二通孔和具有第三通孔层配置的第三通孔设置在介电层中。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970288B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910794869.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开描述了一种方法，包括：在衬底上的接触区域上方形成介电层；蚀刻介电层形成接触件开口以暴露接触区域；以及预清洁暴露的接触区域以去除由蚀刻形成的残留材料。在预清洁期间，将第一接触区域暴露于电感耦合射频(RF)等离子体；通过直流电源单元(DC PSU)对衬底施加偏置电压；以及对电感耦合RF等离子体施加磁场以准直离子。本发明实施例涉及用于接触件的预清洁。
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公开(公告)号：CN110970288A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910794869.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开描述了一种方法，包括：在衬底上的接触区域上方形成介电层；蚀刻介电层形成接触件开口以暴露接触区域；以及预清洁暴露的接触区域以去除由蚀刻形成的残留材料。在预清洁期间，将第一接触区域暴露于电感耦合射频(RF)等离子体；通过直流电源单元(DC PSU)对衬底施加偏置电压；以及对电感耦合RF等离子体施加磁场以准直离子。本发明实施例涉及用于接触件的预清洁。
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公开(公告)号：CN106952870B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710010166.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109841678A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810257650.2
申请日：2018-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于基板之上的鳍式结构；形成于鳍式结构之上的栅极介电层；形成于栅极介电层之上的栅极电极层；以及形成于栅极电极层之上的栅极接触结构。此栅极接触结构包括形成于栅极电极层之上的第一导电层；形成于第一导电层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的第二导电层。此第二导电层通过第一导电层电性连接至栅极电极层。
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公开(公告)号：CN106971975A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611085479.9
申请日：2016-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/823475 , H01L21/3083 , H01L21/823425 , H01L29/41783 , H01L29/66515 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L21/77
Abstract: 本公开的实施例提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括：形成第一栅极堆叠于基底上方。第一栅极堆叠包括栅极电极、设置于栅极电极上方的第一硬掩模(HM)及沿着第一栅极堆叠的侧壁的侧壁间隔物。该方法亦包括：形成第一介电层于第一栅极堆叠上方；形成第二硬掩模于第一硬掩模及侧壁间隔物的顶表面上方；形成第二介电层于第二硬掩模及第一介电层上方；及移除第二介电层及第一介电层以形成沟槽并暴露基底的一部分，而第二硬掩模设置于第一栅极堆叠上方。
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