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    用于发光显微镜查找芯片缺陷的信号转换装置
    2.
    实用新型
    用于发光显微镜查找芯片缺陷的信号转换装置 有权

    公开(公告)号：CN203551734U

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：CN201320712988.5

    申请日：2013-11-12

    申请人： 国家电网公司 ,  北京南瑞智芯微电子科技有限公司

    发明人： 单兰婷 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  聂琪鹤 ,  李伯海

    IPC分类号： G01R31/26 ,  G01N21/88

    摘要： 本实用新型公开了一种用于发光显微镜查找芯片缺陷的信号转换装置，包括：PCB板，该PCB板中间开有窗口部分，该窗口部分为用于粘贴芯片的透明材质，该透明材质为薄玻璃或硬塑料板。本实用新型是用于发光显微镜查找芯片缺陷的信号转换装置，通过PCB板的转换，实现了芯片引脚的转换，完成与原有测试板的对接，对芯片加载了动态信号；该信号转换装置在提供动态测试的同时，可以兼顾静态测试，可以在动态测试前后，进行IV曲线的测量；本实用新型是用于发光显微镜查找芯片缺陷的信号转换装置，还可以兼顾多种芯片尺寸和PCB板数量，对不同尺寸和PCB板数量的芯片进行测试。

    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法
    6.
    发明授权
    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN107564829B

    公开(公告)日：2020-09-04

    申请号：CN201710734193.7

    申请日：2017-08-24

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

    发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

    IPC分类号： H01L21/66

    摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

    一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
    7.
    发明授权
    一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN105183978B

    公开(公告)日：2019-01-01

    申请号：CN201510557112.1

    申请日：2015-09-02

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力公司

    发明人： 陈燕宁 ,  赵东艳 ,  张海峰 ,  付振 ,  李伯海 ,  金文德

    IPC分类号： G06F17/50

    摘要： 本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，其中，该方法包括：根据确定的芯片功能划分功能模块，并根据所述功能模块的需求进行网表设计；根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真，当前仿真结果满足所述功能模块的需求时，进行版图绘制；在版图绘制完成后，提取布线后的寄生的电容和电阻，根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真；当后仿真结果满足所述功能模块的需求时，根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真；当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时，则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，与传统的开发流程相比，可以缩小产品的开发周期，减少修改光刻板的次数，进而降低开发成本。