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公开(公告)号:CN217062814U
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202221025016.4
申请日:2022-04-30
申请人: 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司荆州供电公司 , 国网湖北省电力有限公司随州供电公司 , 张航
IPC分类号: H01R43/28
摘要: 本发明设计了一种电力电缆专用电动剥离绝缘层装置,该装置包括含有度量尺的电缆固定夹板、固定锁扣、电缆绝缘层切割槽、精度选择卡扣、电动机、控制把手、切割片、电动机运动滑轨、限位器等部件。本设计通过将需要剥离绝缘层的电缆固定在夹板上,与刻度尺比对确定好长度后锁紧固定锁扣,根据电缆型号匹配合适的切割精度选择卡扣,启动电动机,切割片开始运行,然后推动电动机控制把手沿滑轨运动,切割片在切割槽中将电缆绝缘层切开。转动电缆重复操作,增加开口数,从而实现轻松剥离绝缘层。
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公开(公告)号:CN109860283B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN201910040864.9
申请日:2019-01-16
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/739 , H01L21/331
摘要: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。
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公开(公告)号:CN111220920B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN201911153100.7
申请日:2019-11-22
申请人: 国网浙江省电力有限公司台州供电公司 , 国家电网有限公司
发明人: 谢宝江 , 应鸿 , 陈桑红 , 秦建 , 庄军 , 陈鑫 , 娄伟明 , 罗扬帆 , 梅丘梅 , 王泽荣 , 朱轶伦 , 高强 , 徐汶 , 林卫敏 , 谢钟霆 , 朱超 , 李哲 , 陈李丰 , 冯龙 , 刘瑞
IPC分类号: G01R31/388 , G01R31/378 , G01R31/36
摘要: 本公开涉及一种基于H∞无迹卡尔曼滤波算法的退役锂离子电池荷电状态计算方法,首先建立锂离子等效电路模型,识别参数后进行模型验证,对验证后的模型通过标准无迹卡尔曼滤波算法,引入基于H∞控制理论的调整因子设计H∞滤波器用于修正无迹卡尔曼滤波算法中计算协方差时遇到的病态矩阵。本发明通过不断更新修正协方差矩阵保证了矩阵的半正定性,提高了滤波器的适应能力,实现退役电池荷电状态准确估算。
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公开(公告)号:CN115706005A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202110925271.8
申请日:2021-08-12
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种MOSFET器件的制备方法,包括:提供半导体基底;在半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层;对栅极材料层进行退火处理,退火处理使栅极材料层背离半导体基底的至少部分表面形成氧化层;进行退火处理之后,对栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除氧化层;去除氧化层之后,对栅极材料层进行刻蚀以形成栅电极层。MOSFET器件的制备方法有效降低了MOSFET器件失效的风险。
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公开(公告)号:CN115426068A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202211143558.6
申请日:2022-09-20
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H04J3/06
摘要: 本发明公开了一种TSN时钟同步系统和方法、计算机存储介质及芯片,其中,所述系统包括:接收时戳模块,用于通过交换机接收目标以太网模块发送的同步报文;报文处理模块,用于对同步报文进行处理,以确定时钟偏差;时间校准模块,用于根据时钟偏差获取主时钟的时钟信号和交换机的时钟同步数据;锁相环模块,用于对主时钟的时钟信号进行锁定;频率锁定检测模块,用于确定时钟信号是否处于锁定状态;同步模块,用于将同步数据发送至交换机,以使目标以太网模块与交换机时钟同步。该系统基于目标以太网模块发送的同步报文确定时钟同步数据,实现目标以太网模块与交换机时钟同步,系统设计简单,便于纯硬件实现,具有较高的稳定性、实时性和精确度。
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公开(公告)号:CN114126067B
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210109720.6
申请日:2022-01-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本申请提供一种TSN系统的有线无线资源的联合调度方法、TSN系统及可读存储介质。联合调度方法包括:步骤1:收集TSN系统的当前通信需求,以确定当前通信需求对应的调度周期;步骤2:根据当前通信需求,分析TSN系统中的通信资源的分配约束;步骤3:根据分配约束的分析结果,确定通信资源的优化模型;步骤4:求解优化模型,以获取分配方案;步骤5:在当前通信需求对应的调度周期内,根据分配方案对通信资源进行资源分配;在当前通信需求对应的调度周期结束的情况下,重复步骤1至步骤5。本申请中,每个调度周期内都求解一次优化模型以得到每个调度周期中的通信资源对应的分配方案,据此分配通信资源,使得通信资源的分配灵活性强。
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公开(公告)号:CN109671771B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN201811379016.2
申请日:2018-11-19
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331
摘要: 本发明公开了一种IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法,背面结构包括:缓冲层和掺杂层,掺杂层为在缓冲层进行离子注入形成;终端区及过渡区的掺杂层通过一次高温退火处理;有源区的掺杂层通过两次高温退火处理,实现有源区与终端区的不同空穴注入效率,改善IGBT过渡区存在的电流集中问题,提高可靠性。与现有技术中采用光刻工艺在有源区和终端区背面分别注入不同剂量的掺杂离子来实现有源区与终端区背面集电极不同注入效率的处理方式相比,仅采用了退火工艺,省去了光刻工艺,节约了制造成本。另外在缓冲层注入惰性离子缺陷层,形成缺陷层,使IGBT背面集电极可以采用更高的掺杂浓度,IGBT背面与背面金属容易形成良好的欧姆接触,降低IGBT通态压降。
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公开(公告)号:CN110602651B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN201910894093.X
申请日:2019-09-20
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明公开了一种基于WIFI位置指纹的定位方法以及机器人的定位系统,该基于WIFI位置指纹的定位方法包括:获取待定位物体在待测区域的每个位置的WIFI位置指纹数据从而建立WIFI位置指纹数据库,采用K均值聚类划分方法对WIFI位置指纹数据库的数据进行分类从而划分为K个类;获取待定位物体在当前位置接收的每个无线访问接入点的RSSI值并从中去除一些信号强度较差的无线访问接入点的RSSI值,计算剩余每个RSSI值组成的采样数据与K个类的欧式距离,在欧式距离值最小的类中采用加权K近邻法进行匹配定位从而获得待定位物体的定位结果。该基于WIFI位置指纹的定位方法以及机器人的定位系统能够提高运算效率和定位精度。
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公开(公告)号:CN113138957A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202110336218.4
申请日:2021-03-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网安徽省电力有限公司检修分公司
摘要: 本发明涉及人工智能领域,提供一种用于神经网络推理的芯片及加速神经网络推理的方法。所述用于神经网络推理的芯片包括存算单元,所述存算单元包括多个不同输入长度的存储计算阵列,多个所述存储计算阵列用于部署与其输入长度相对应的卷积核。本发明通过在存算单元中增设对应不同输入长度的存储计算阵列,以适配经过剪枝的卷积核,在降低功耗的同时最大化利用算力资源,可满足算力资源利用率和低功耗的需求。
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公开(公告)号:CN110856422B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201911161803.4
申请日:2019-11-25
申请人: 国网新疆电力有限公司乌鲁木齐供电公司 , 国家电网有限公司
发明人: 范子涛 , 刘瑞 , 段绪伟 , 朱燕飞 , 王栋 , 缪刚 , 李昕 , 桑遥 , 杨祎芃 , 张一晨 , 孙祥飞 , 乔子芩 , 朱雪琴 , 宋俊廷 , 李亚平 , 解鹏 , 张志军 , 张晨语 , 摆文志 , 胡健民 , 刘小庆 , 刘璐 , 杨春梅 , 郜亚轩 , 刘月丽
摘要: 本发明公开了一种SDH设备风扇控制装置及方法,应用在通信系统中的SDH光传输设备中,实现SDH光传输设备温度检测及风扇控制。本发明公开的装置包含用于插接在SDH光传输设备的插槽的装置本体;装置本体上安装有风扇、加热器、核心控制器;所述装置本体的侧面设置有电源模块、设备自带风扇的外部风扇电源接口、开关以及散热孔;所述核心控制器通过继电器模块与所述加热器、风扇以及外部风扇电源接口电路连接;所述电源模块通过开关与核心控制器电连接;所述核心控制器集成有温度温控感应器。
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