一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置

    公开(公告)号:CN109860283B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN201910040864.9

    申请日:2019-01-16

    IPC分类号: H01L29/739 H01L21/331

    摘要: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。

    一种MOSFET器件的制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115706005A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202110925271.8

    申请日:2021-08-12

    发明人: 刘瑞 吴军民 杨霏

    摘要: 本发明提供一种MOSFET器件的制备方法,包括:提供半导体基底;在半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层;对栅极材料层进行退火处理,退火处理使栅极材料层背离半导体基底的至少部分表面形成氧化层;进行退火处理之后,对栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除氧化层;去除氧化层之后,对栅极材料层进行刻蚀以形成栅电极层。MOSFET器件的制备方法有效降低了MOSFET器件失效的风险。

    TSN时钟同步系统和方法、计算机存储介质及芯片

    公开(公告)号:CN115426068A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211143558.6

    申请日:2022-09-20

    IPC分类号: H04J3/06

    摘要: 本发明公开了一种TSN时钟同步系统和方法、计算机存储介质及芯片,其中,所述系统包括:接收时戳模块,用于通过交换机接收目标以太网模块发送的同步报文;报文处理模块,用于对同步报文进行处理,以确定时钟偏差;时间校准模块,用于根据时钟偏差获取主时钟的时钟信号和交换机的时钟同步数据;锁相环模块,用于对主时钟的时钟信号进行锁定;频率锁定检测模块,用于确定时钟信号是否处于锁定状态;同步模块,用于将同步数据发送至交换机,以使目标以太网模块与交换机时钟同步。该系统基于目标以太网模块发送的同步报文确定时钟同步数据,实现目标以太网模块与交换机时钟同步,系统设计简单,便于纯硬件实现,具有较高的稳定性、实时性和精确度。