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公开(公告)号：CN111601774B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880086445.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社尼康
Abstract: 本发明提供一种ITO颗粒，其满足下述式(1)所示的关系。16×S/P2≤0.330···(1)(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)。
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公开(公告)号：CN111601774A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086445.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社 , 尼康
Abstract: 本发明提供一种ITO颗粒，其满足下述式(1)所示的关系。16×S/P2≤0.330···(1)(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)。
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公开(公告)号：CN109314146B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201780036095.4
申请日：2017-07-20
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L29/786 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有第1电极、第2电极、以及与第1电极和第2电极相接的半导体层，半导体层为包含锌(Zn)和镓(Ga)的尖晶石型的氧化物。
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公开(公告)号：CN105555424A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480052051.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 本发明目的在于提供一种代替现有技术的新方法作为得到薄膜的技术。本发明的薄膜的制造方法的特征在于，其具有：使含有微粒的分散液雾化的雾化工序；将经雾化的所述分散液供给至基板的供给工序；使供给至所述基板上的所述分散液干燥的干燥工序。
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公开(公告)号：CN110085370B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201910312665.9
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 本发明目的在于提供一种薄膜的制造方法，其代替现有技术的薄膜制造技术。本发明的薄膜的制造方法的特征在于，其包括：在所述成膜装置的第1槽中使含有微粒的分散液雾化的工序；将经雾化的分散液沿第1方向供给至第2槽顶部的入口中，并沿与第1方向相反的第2方向从第2槽顶部的出口排出经雾化的分散液，从而将经雾化的分散液经由所述成膜装置的第2槽搬送至第3槽的工序；将经雾化的所述分散液供给至第3槽中的基板上的工序；和使供给至所述基板上的所述分散液干燥的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105408244A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480042219.6
申请日：2014-06-18
Applicant: 株式会社尼康
IPC: C01B13/32 , C01F7/30 , C01G9/02 , H01L21/283 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/02178 , C01F7/02 , C23C18/1216 , C23C18/125 , H01L21/02172 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/28008 , H01L21/28158 , H01L21/311 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/66477
Abstract: 本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。
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公开(公告)号：CN115136323A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180014587.X
申请日：2021-02-17
IPC: H01L29/786 , C23C16/36 , C23C16/42 , C23C16/50 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明之晶体管具有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极电极及汲极电极，且上述闸极绝缘膜系交替积层SiOx膜与SiCyNz膜而成之积层膜，构成上述积层膜之膜之总数为3层以上18层以下，构成上述积层膜之各膜之膜厚为25nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN108778527B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201780016625.9
申请日：2017-03-07
Applicant: 株式会社尼康
IPC: B05B17/06 , B05D1/02 , B05D1/06 , B05D1/32 , B05D3/10 , B05D5/12 , B05D7/24 , G03F7/20 , H01B13/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明的产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的雾气产生装置(MG1)包含：容器(30a)，其保持包含微粒子(NP)的分散液(DIL)；第1振动部(32a)，其通过对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予第1频率的振动，而抑制微粒子(NP)于分散液(DIL)中的凝集；以及第2振动部(34a)，其对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予高于第1频率、且用以自分散液(DIL)的表面产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的第2频率的振动。
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公开(公告)号：CN106605294B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201580045821.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。
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公开(公告)号：CN117716515A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280046363.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 中积诚
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/336 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 一种半导体装置，其具有：第1电极，第2电极，以及与所述第1电极和所述第2电极相接的半导体层，所述半导体层包括：5～20nm的包含尖晶石型的ZnGa2O4的第1氧化物层，以及5～50nm的包含In、Ga和Zn的第2氧化物层。
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