公开(公告)号：CN104576318B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410819897.0

申请日：2014-12-24

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 戴天明

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种非晶硅表面氧化层形成方法，其包括以下步骤：使用氢氟酸清洗所述非晶硅的表面；使用水清洗经过氢氟酸清洗的所述非晶硅的表面；对水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；采用极紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化层；采用氧化性溶液清洗具有所述氧化层的非晶硅的表面二形成第二氧化层；对具有第二氧化层的所述非晶硅的表面进行干燥。采用极紫外光刻方式在所述非晶硅的表面形成第一氧化层，进而使所述非晶硅表面亲水性强，水的分布均匀。

公开(公告)号：CN104412376B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201380036029.9

申请日：2013-07-12

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C09D179/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02093 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

公开(公告)号：CN105390378A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67207

摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN105185693A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510514529.X

申请日：2015-08-20

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 钟飞 ,  王科 ,  韩晓刚 ,  陈建维 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337

摘要： 本发明提供了一种半导体衬底上介质层的形成方法，包括：将半导体器件衬底置于等离子体增强化学气相沉积工艺腔中，然后通入反应气体SiH4和N2O，通过辉光放电产生Si4+、H+、O2-、N-等离子体；这些等离子体发生反应，并且在半导体器件衬底上沉积形成SiO2介质层；停止辉光放电，对半导体器件衬底进行N2O吹扫，从而使残留的SiH4充分反应掉；对半导体器件衬底进行惰性气体吹扫，去除带电荷的N2O和SiH4反应气体、反应过程中残留的带电分子、以及半导体器件衬底表面吸附的带电分子；将半导体器件衬底取出；本发明避免了半导体器件衬底表面的带电分子聚集缺陷。

公开(公告)号：CN103081076B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC分类号： H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN105390378B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67

摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN104779183B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201510017552.8

申请日：2015-01-14

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 小林健司

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02334

摘要： 本发明提供一种能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的技术。对具有多孔结构的多孔膜(90)在表层上的基板(9)进行处理的基板处理方法，包括第一工序以及第二工序。在第一工序中，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成第一处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第一处理液的液滴。另外，在第二工序中，在进行第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成第二处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第二处理液的液滴，第二处理液为挥发性高于第一处理液的有机溶剂。

公开(公告)号：CN107037687A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611024469.4

申请日：2016-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 石训全 ,  李岳勋 ,  朱远志 ,  秦圣基

IPC分类号： G03F1/72

CPC分类号： G03F1/72 ,  C23C16/047 ,  C23C16/45523 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/74 ,  G03F1/82 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/321

摘要： 本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。

公开(公告)号：CN105316651A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510459965.1

申请日：2015-07-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿德里安·拉维依 ,  康胡 ,  普鲁肖坦·库马尔 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  钱俊 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262

摘要： 本文公开的是抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置，具体公开了采用次级清扫的用途在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括使膜前体流入处理室并使所述膜前体吸附到所述处理室中的衬底，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层。该方法还可以包括通过用初级清扫气体清扫处理室从围绕所吸附的前体的体积去除至少一些未被吸附的膜前体，然后，在次级清扫气体流入所述处理室时使吸附的膜前体反应，导致在衬底上形成膜层。次级清扫气体可包括具有等于或大于O2的电离能和/或解离能的电离能和/或解离能的化学物质。还公开了其中实现前述处理的装置。

公开(公告)号：CN104576318A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410819897.0

申请日：2014-12-24

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 戴天明

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种非晶硅表面氧化层形成方法，其包括以下步骤：使用氢氟酸清洗所述非晶硅的表面；使用水清洗经过氢氟酸清洗的所述非晶硅的表面；对水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；采用极紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化层；采用氧化性溶液清洗具有所述氧化层的非晶硅的表面二形成第二氧化层；对具有第二氧化层的所述非晶硅的表面进行干燥。采用极紫外光刻方式在所述非晶硅的表面形成第一氧化层，进而使所述非晶硅表面亲水性强，水的分布均匀。