公开(公告)号：CN116584172A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180073300.0

申请日：2021-10-15

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社爱发科

发明人： 宫田典幸 ,  浅沼周太郎 ,  住田杏子 ,  宫口有典 ,  斋藤一也 ,  神保武人 ,  堀田和正 ,  増田健

IPC分类号： H10B69/00

摘要： 本发明的课题在于提供一种具有优异的信息保存特性、高性能且能够在实际应用上实现量产的非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件(1)的特征在于：具有积层构造部，该积层构造部是将Al2O3层(4)与SiO2层(6)作为由不同组成形成的2个绝缘层交替地配置多个，且在所述绝缘层的各接合界面处配置由构成所述绝缘层的元素以外的金属元素M1与氧的化学键形成的0.5分子层～2.0分子层的O‑M1‑O层(5)，通过利用外部电刺激使在所述O‑M1‑O层(5)的附近诱发的界面偶极调制来存储信息。

公开(公告)号：CN103140601B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180048223.X

申请日：2011-10-03

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勋 ,  神保武人 ,  小林宏树 ,  远藤洋平 ,  大西洋平

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/024 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  C30B23/002 ,  C30B23/025 ,  C30B23/063 ,  C30B29/32

摘要： 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。

公开(公告)号：CN110537255A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880025658.4

申请日：2018-03-14

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 宫口有典 ,  神保武人 ,  真仁田峻 ,  太田俊平 ,  安炯祐

IPC分类号： H01L21/8239 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

摘要： 本发明的课题在于成本低且电特性优异的电阻变化元件的制造。电阻变化元件的制造方法包括如下工序：在基板上形成第一氮化钛电极层。在上述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层。在上述第一金属氧化物层上形成具有与上述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层。在对上述基板施加偏置电压的同时，在上述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。

公开(公告)号：CN101855724B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200880115651.8

申请日：2008-11-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 菊地真 ,  西冈浩 ,  木村勋 ,  神保武人 ,  邹弘纲

IPC分类号： H01L27/105 ,  C23C14/06 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。

公开(公告)号：CN103140601A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180048223.X

申请日：2011-10-03

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勋 ,  神保武人 ,  小林宏树 ,  远藤洋平 ,  大西洋平

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/024 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  C30B23/002 ,  C30B23/025 ,  C30B23/063 ,  C30B29/32

摘要： 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。

公开(公告)号：CN101583735B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200780049467.3

申请日：2007-12-20

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勲 ,  神保武人 ,  菊地真 ,  西冈浩 ,  邹红罡

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31 ,  H01L41/22

CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/025 ,  C23C14/042 ,  C23C14/088 ,  C23C14/352 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/316

摘要： 一种多层膜形成方法，使得在不进行蚀刻处理的情况下，能够形成包括复合氧化层并具有想要的元件形状的多层膜。该方法将第一掩模(30A)定位于基片(S)上方，通过溅射粘接层靶材(T1)和下部电极层靶材(T2)，利用所述第一掩模在所述基片上形成粘接层(36)和下部电极层(37)，并且将由陶瓷材料形成的第二掩模(30B)定位于所述下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶材(T3)，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层(38)，将第三掩模(30C)定位于所述复合氧化物层的上方，并且通过溅射上部电极层靶材(T4)，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层(39)。

公开(公告)号：CN101855724A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115651.8

申请日：2008-11-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 菊地真 ,  西冈浩 ,  木村勋 ,  神保武人 ,  邹弘纲

IPC分类号： H01L27/105 ,  C23C14/06 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。

公开(公告)号：CN101583735A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049467.3

申请日：2007-12-20

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勲 ,  神保武人 ,  菊地真 ,  西冈浩 ,  邹红罡

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31 ,  H01L41/22

CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/025 ,  C23C14/042 ,  C23C14/088 ,  C23C14/352 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/316

摘要： 一种多层膜形成方法，使得在不进行蚀刻处理的情况下，能够形成包括复合氧化层并具有想要的元件形状的多层膜。该方法将第一掩模(30A)定位于基片(S)上方，通过溅射粘接层靶材(T1)和下部电极层靶材(T2)，利用所述第一掩模在所述基片上形成粘接层(36)和下部电极层(37)，并且将由陶瓷材料形成的第二掩模(30B)定位于所述下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶材(T3)，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层(38)，将第三掩模(30C)定位于所述复合氧化物层的上方，并且通过溅射上部电极层靶材(T4)，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层(39)。

公开(公告)号：CN101563478A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780046756.8

申请日：2007-12-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勳 ,  神保武人 ,  菊地真 ,  西冈浩 ,  邹红罡

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC分类号： H01L41/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： 一种多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置，其提高了由铅基钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性。所述多层薄膜形成方法包括：通过溅射下部电极层靶材(TG2)，在基片(S)上形成包含贵重金属的下部电极层(32b)；以及通过溅射包括铅的氧化物层靶材(TG3)，在所述下部电极层(32b)上叠置铅基复合氧化物层(33)。所述下部电极层(32b)的厚度限制为10到30nm，并且所述铅基复合氧化物层(33)的厚度限制为0.2到5.0μm。

公开(公告)号：CN118056489A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280066382.0

申请日：2022-08-04

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 富永淳二 ,  宫田典幸 ,  浅沼周太郎 ,  宫口有典 ,  斋藤一也 ,  神保武人 ,  堀田和正 ,  増田健

IPC分类号： H10N70/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H10B63/10

摘要： 本发明提供一种制造效率优异的结晶化积层结构体的制造方法。本发明的特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将积层结构体7形成于对结晶化时的Sb2Te3层5及GeTe层6赋予共通的晶轴的配向控制层4上，所述积层结构体7积层有厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层5与厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层6，并且于GeTe层6中以0.05at％～10.0at％的含量包含微量添加元素(S、Se)；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对积层结构体7进行加热并保持，使Sb2Te3层5结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对Sb2Te3层5已结晶化的积层结构体7进行加热并保持，使GeTe层6结晶化。