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    OTS设备的制造方法以及OTS设备
    1.
    发明公开
    OTS设备的制造方法以及OTS设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN111357085A

    公开(公告)日：2020-06-30

    申请号：CN201880009756.9

    申请日：2018-10-24

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 安炯祐 ,  堀田和正 ,  沢田贵彦 ,  山本直志

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

    摘要： 本发明的OTS设备的制造方法是在绝缘性的基板上，依次重叠配置第一导电部、由硫族化合物构成的OTS部以及第二导电部而成的OTS设备的制造方法。该制造方法包括：工程A，在所述基板的一面的整个区域形成所述第一导电部；工程B，在所述第一导电部的整个区域形成所述OTS部；工序C，在所述OTS部的整个区域形成所述第二导电部；工程D，以覆盖所述第二导电部的上表面的一部分的方式形成抗蚀剂；工序E，对未覆盖所述抗蚀剂的区域进行干法蚀刻；以及工序F，对所述抗蚀剂进行灰化。在所述工序E，在所述区域的深度方向上，通过一次蚀刻对所述第二导电部、所述OTS部的全部以及所述第一导电部的上部进行处理并去除。

    结晶化积层结构体的制造方法
    3.
    发明公开
    结晶化积层结构体的制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118056489A

    公开(公告)日：2024-05-17

    申请号：CN202280066382.0

    申请日：2022-08-04

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 富永淳二 ,  宫田典幸 ,  浅沼周太郎 ,  宫口有典 ,  斋藤一也 ,  神保武人 ,  堀田和正 ,  増田健

    IPC分类号： H10N70/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H10B63/10

    摘要： 本发明提供一种制造效率优异的结晶化积层结构体的制造方法。本发明的特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将积层结构体7形成于对结晶化时的Sb2Te3层5及GeTe层6赋予共通的晶轴的配向控制层4上，所述积层结构体7积层有厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层5与厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层6，并且于GeTe层6中以0.05at％～10.0at％的含量包含微量添加元素(S、Se)；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对积层结构体7进行加热并保持，使Sb2Te3层5结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对Sb2Te3层5已结晶化的积层结构体7进行加热并保持，使GeTe层6结晶化。

    OTS设备的制造方法以及OTS设备
    5.
    发明授权
    OTS设备的制造方法以及OTS设备 有权

    公开(公告)号：CN111357085B

    公开(公告)日：2023-12-05

    申请号：CN201880009756.9

    申请日：2018-10-24

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 安炯祐 ,  堀田和正 ,  沢田贵彦 ,  山本直志

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H10B99/00 ,  H01L27/105 ,  H10N70/00

    摘要： 本发明的OTS设备的制造方法是在绝缘性的基板上，依次重叠配置第一导电部、由硫族化合物构成的OTS部以及第二导电部而成的OTS设备的制造方法。该制造方法包括：工程A，在所述基板的一面的整个区域形成所述第一导电部；工程B，在所述第一导电部的整个区域形成所述OTS部；工序C，在所述OTS部的整个区域形成所述第二导电部；工程D，以覆盖所述第二导电部的上表面的一部分的方式形成抗蚀剂；工序E，对未覆盖所述抗蚀剂的区域进行干法蚀刻；以及工序F，对所述抗蚀剂进行灰化。在所述工序E，在所述区域的深度方向上，通过一次蚀刻对所述第二导电部、所述OTS部的全部以及所述第一导电部的上部进行处理并去除。

    成膜装置
    8.
    发明授权
    成膜装置 有权

    公开(公告)号：CN102471878B

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：CN201080026236.2

    申请日：2010-07-15

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

    IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285

    CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01L21/2855

    摘要： 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。

    成膜装置
    9.
    发明公开
    成膜装置 有权

    公开(公告)号：CN102471879A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080026409.0

    申请日：2010-07-15

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

    IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285 ,  H05H1/24

    CPC分类号： H01J37/3405 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76871

    摘要： 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。