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公开(公告)号：CN106574362A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580042283.9
申请日：2015-06-18
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/081 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3497
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时可靠地防止结合靶和背板的粘接材料向外部渗出。背板(22)具有比靶(21)的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)。环状的屏蔽板(4)与延伸部分相对配置，以便在将靶组件(2)安装在溅射装置(SM)上时围住靶。以背板上结合有靶的部分作为接合部分(22b)，该接合部分相对于延伸部分凸出设置。使从延伸部分到接合部分的侧面的外表面都粗糙化。从延伸部分到靶的侧面都形成绝缘材料膜(23)。
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公开(公告)号：CN116584172A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180073300.0
申请日：2021-10-15
申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社爱发科
IPC分类号： H10B69/00
摘要： 本发明的课题在于提供一种具有优异的信息保存特性、高性能且能够在实际应用上实现量产的非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件(1)的特征在于：具有积层构造部，该积层构造部是将Al2O3层(4)与SiO2层(6)作为由不同组成形成的2个绝缘层交替地配置多个，且在所述绝缘层的各接合界面处配置由构成所述绝缘层的元素以外的金属元素M1与氧的化学键形成的0.5分子层～2.0分子层的O‑M1‑O层(5)，通过利用外部电刺激使在所述O‑M1‑O层(5)的附近诱发的界面偶极调制来存储信息。
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公开(公告)号：CN107002229B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580065926.1
申请日：2015-06-16
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时能可靠地防止接合靶和背板的粘接材料向外部渗出，并且背板很容易再利用。具有绝缘材料靶(21)和通过粘接材料接合在该靶的一面上的背板(22)，且背板具有比靶的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)的本发明的靶组件(2)，其特征在于：还具有与靶侧面之间留出规定的间隙而围绕在靶周围，覆盖延伸部分的靶侧的面并在背板上装卸自如的环形绝缘板(23)。
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公开(公告)号：CN110537255A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880025658.4
申请日：2018-03-14
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/8239 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
摘要： 本发明的课题在于成本低且电特性优异的电阻变化元件的制造。电阻变化元件的制造方法包括如下工序：在基板上形成第一氮化钛电极层。在上述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层。在上述第一金属氧化物层上形成具有与上述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层。在对上述基板施加偏置电压的同时，在上述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。
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公开(公告)号：CN107002229A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065926.1
申请日：2015-06-16
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/081 , H01J37/3491
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时能可靠地防止接合靶和背板的粘接材料向外部渗出，并且背板很容易再利用。具有绝缘材料靶(21)和通过粘接材料接合在该靶的一面上的背板(22)，且背板具有比靶的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)的本发明的靶组件(2)，其特征在于：还具有与靶侧面之间留出规定的间隙而围绕在靶周围，覆盖延伸部分的靶侧的面并在背板上装卸自如的环形绝缘板(23)。
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公开(公告)号：CN106574362B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201580042283.9
申请日：2015-06-18
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/081 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3497
摘要： 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时可靠地防止结合靶和背板的粘接材料向外部渗出。背板(22)具有比靶(21)的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)。环状的屏蔽板(4)与延伸部分相对配置，以便在将靶组件(2)安装在溅射装置(SM)上时围住靶。以背板上结合有靶的部分作为接合部分(22b)，该接合部分相对于延伸部分凸出设置。使从延伸部分到接合部分的侧面的外表面都粗糙化。从延伸部分到靶的侧面都形成绝缘材料膜(23)。
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公开(公告)号：CN105980593A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008034.8
申请日：2015-02-05
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/3485 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种能够将表面粗糙度和电阻率降低到规定以下的碳电极膜的形成方法。本发明的一个实施方式的碳电极膜的形成方法包括：将腔内维持在0.3Pa以上1.2Pa以下的氩气气氛。对配置在上述腔内的碳制的靶，施加频率为20kHz以上20MHz以下且功率为0.1kW以上2kW以下的电源，据此，上述靶被溅射，碳粒子堆积在与上述靶相向配置的基板上。
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公开(公告)号：CN118056489A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280066382.0
申请日：2022-08-04
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H10N70/20 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L29/06 , H01L29/15 , H10B63/10
摘要： 本发明提供一种制造效率优异的结晶化积层结构体的制造方法。本发明的特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将积层结构体7形成于对结晶化时的Sb2Te3层5及GeTe层6赋予共通的晶轴的配向控制层4上，所述积层结构体7积层有厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层5与厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层6，并且于GeTe层6中以0.05at％～10.0at％的含量包含微量添加元素(S、Se)；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对积层结构体7进行加热并保持，使Sb2Te3层5结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对Sb2Te3层5已结晶化的积层结构体7进行加热并保持，使GeTe层6结晶化。
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公开(公告)号：CN107406967B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201680014796.3
申请日：2016-02-16
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种可形成即便以低温退火处理也能结晶的氧化铝膜的成膜方法和形成方法以及溅射装置。本发明的氧化铝膜的成膜方法包括，在真空室(1)内配置氧化铝制成的靶(2)和待处理基板(W)，向真空室内导入稀有气体，向靶施加高频电力并通过溅射在基板表面形成氧化铝膜，将成膜过程中的真空室内的压力设定在1.6～2.1Pa的范围内。
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公开(公告)号：CN107406967A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014796.3
申请日：2016-02-16
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/32 , H01L27/115
摘要： 本发明提供一种可形成即便以低温退火处理也能结晶的氧化铝膜的成膜方法和形成方法以及溅射装置。本发明的氧化铝膜的成膜方法包括，在真空室(1)内配置氧化铝制成的靶(2)和待处理基板(W)，向真空室内导入稀有气体，向靶施加高频电力并通过溅射在基板表面形成氧化铝膜，将成膜过程中的真空室内的压力设定在1.6～2.1Pa的范围内。
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