一种电网电压控制方法及装置

    公开(公告)号:CN106786611B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201611140006.4

    申请日:2016-12-12

    Abstract: 一种电网电压控制方法及装置,其中所述电网电压控制方法包括:实时监测电网节点电压;判断电网节点的低压减载装置是否启动;当所述低压减载装置已启动,获取已启动所述低压减载装置的启动电压;根据所述启动电压得到电压紧急控制的启动参考值;根据当前所述节点电压得到电网电压变化率;根据所述电网电压变化率获取所述电网的节点电压预测值;判断所述节点电压预测值是否大于所述启动参考值;当所述电网节点电压预测值大于所述启动参考值时,进行电压紧急控制,解决了现有电网电压紧急控制方式和低压减载方式不协调,导致过度切负荷的问题。

    一种电网电压控制方法及装置

    公开(公告)号:CN106786611A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611140006.4

    申请日:2016-12-12

    CPC classification number: H02J3/12 G01R19/16547

    Abstract: 一种电网电压控制方法及装置,其中所述电网电压控制方法包括:实时监测电网节点电压;判断电网节点的低压减载装置是否启动;当所述低压减载装置已启动,获取已启动所述低压减载装置的启动电压;根据所述启动电压得到电压紧急控制的启动参考值;根据当前所述节点电压得到电网电压变化率;根据所述电网电压变化率获取所述电网的节点电压预测值;判断所述节点电压预测值是否大于所述启动参考值;当所述电网节点电压预测值大于所述启动参考值时,进行电压紧急控制,解决了现有电网电压紧急控制方式和低压减载方式不协调,导致过度切负荷的问题。

    一种高压旋喷法双液混合喷射可伸缩装置与施工方法

    公开(公告)号:CN118774108A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411138188.6

    申请日:2024-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种高压旋喷法双液混合喷射可伸缩装置与施工方法,包括伸缩外筒和伸缩内筒;所述的伸缩外筒插装在伸缩内筒的外壁上,伸缩外筒可以沿着伸缩内筒的轴线方向运动;在所述的伸缩外筒尾端设置水玻璃溶液或水注入管;且水玻璃溶液或水注入管轴线与伸缩外筒轴线之间的角度可调节;在所述的伸缩内筒上设置有注浆通道和进气通道;在所述的注浆通道内设置有注浆管,所述的注浆管与伸缩内筒上的喷浆孔连通,所述的进气通道与喷气孔连通,且所述的喷气孔与喷浆孔同轴设置,喷气孔位于喷浆孔的外圈。

    一种蓬松加工装置及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117179346A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311260200.6

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明提供一种蓬松加工装置及方法,涉及紫菜加工设备领域,针对目前流量控制阀吹送蓬松气流时稳定性差、流量低的问题,对蓬松阀本体、上游和下游分别进行调整,调整进气管为变径结构,缓和进气波动,采用稳流管将气体平稳引入配气管,减少不同排气流道间的气压损耗,配气管通过多个排气支管输出,均分气流,保证出口流量,提高蓬松效果。

    SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法

    公开(公告)号:CN118156358B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410579670.7

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及一种SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法,SiC半导体探测器包括欧姆电极;4H‑SiC单晶衬底,设于欧姆电极上表面;缓冲层,生长在4H‑SiC单晶衬底上表面,缓冲层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;外延层,生长在缓冲层上表面,外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;灵敏层,为采用真空热气相沉积法在外延层上表面蒸发Ni膜电极形成的肖特基接触层;灵敏层的截面为7mm×7mm的方形,4H‑SiC单晶衬底、欧姆电极、缓冲层、外延层的截面为10mm×10mm的方形。本发明SiC半导体探测器能快速准确地探测X射线,其应用于矿石成分分析中,能提高矿石成分分析的效率及准确性。

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