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公开(公告)号：CN103839785B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310445648.5
申请日：2013-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G03F7/0002 , B81B7/0006 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/0035 , G03F7/165 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144
Abstract: 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。
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公开(公告)号：CN101894794A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010185195.3
申请日：2010-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76816 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/40 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , Y10S438/947
Abstract: 本文使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。
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公开(公告)号：CN100498548C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610084813.9
申请日：2006-05-18
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于预测要光刻在晶片上的集成电路片段的功能的方法。最初，提供集成电路的二维设计，所述集成电路包括具有临界宽度的集成电路片段；并且，模拟所述临界宽度集成电路片段的二维光刻图像。所述方法随后包括：确定被设计的临界宽度集成电路片段对所模拟的光刻临界宽度集成电路片段的周长或面积的比率；并且，基于所述周长或面积的比率预测在光刻后的临界宽度集成电路片段的功能。
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公开(公告)号：CN1612047A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410086091.1
申请日：2004-10-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 用于执行基于模型的光邻近校正的方法和执行这种方法的程序存储设备，所述方法提供具有感兴趣区即ROI的掩模矩阵并在掩模矩阵内定位多个感兴趣点。计算具有多个代表所定位的感兴趣点的节点的第一多边形，随后确定它的节点与ROI之间的空间关系。然后第一多边形的节点被钉扎至ROI的边界上和之内以使第二多边形被形成在ROI上。对第一多边形的所有节点重复该过程以使第二多边形被坍缩到ROI上。然后该坍缩后的第二多边形被用于校正光邻近。
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公开(公告)号：CN102428022B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080021334.7
申请日：2010-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C2201/0149 , H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 使用例如光刻法在基底上形成开口，该开口具有侧壁，其横截面由曲线轮廓的及凸面的区段构成。例如，该开口的横截面可由交迭的圆形区域构成。该侧壁在多个点邻接，在该邻接处限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的层施加于该开口及该基底上，并让其自组装。在开口中形成分离、隔开的畴，将所述畴除去以形成孔，该孔可被转印至下方基底。这些畴及与它们所对应的孔的位置由侧壁及它们的相关突出部处定向于预定的位置。这些孔分开的距离可大于或小于该嵌段共聚物(及任何添加剂)在无任何侧壁下自组装时的这些孔分开的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894794B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201010185195.3
申请日：2010-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76816 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/40 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , Y10S438/947
Abstract: 本发明涉及使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。
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公开(公告)号：CN1975583B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610171821.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70216
Abstract: 一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
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公开(公告)号：CN1285973C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200410087011.4
申请日：2004-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 通过提供具有相互作用距离的感兴趣区域(ROI)和在ROI之内定位出至少一个多边形的用于基于模型的光学邻近校正的方法和程序存储设备。在多边形的至少一条侧边上，在ROI内生成表示一组顶点的样本点的切割线，或多个切割线。确定角位置，切割线和多边形的侧边之间的交点的相反侧上切割线的第一部分和第二部分，接着通过基于这样的角位置、切割线的第一部分和第二部分将原有的ROI扩展超出其相互作用距离而生成新的ROI。以这种方式，在各种不同的方向可以生成各种新的ROI，最终进行光学邻近的校正。
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公开(公告)号：CN1788237A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012873.9
申请日：2004-05-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70466 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 一种评估多次曝光光刻工艺的工艺结果的方法，首先独立地确定多次曝光工艺的各曝光步骤或工艺的一组期望图像(组1，组2)，然后通过由来自后面的曝光步骤的加权图像(组2)调整来自第一或在前的曝光步骤的图像(组1)，来获得复合图像组(最终组)。优选，通过在各曝光步骤的散焦范围上以标准化空间图像的形式进行模拟，来确定期望的图像，所使用的加权因数为后面的曝光剂量与前面步骤的曝光剂量的剂量比值。可以使用最终的复合图像组来评估多次曝光光刻工艺，例如，对于给定的剂量和焦距误差预计来提供产量评估，或可选的是，提供用于实现获得目标产量所需的工具误差预计的规格。
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公开(公告)号：CN101008790A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710004363.2
申请日：2007-01-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/68 , H01L21/683
CPC classification number: G03D3/02 , G03F7/70341 , G03F7/70716 , G03F7/70916 , H01L21/68735
Abstract: 一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置，包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件，该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙，该缝隙与晶片的外边缘相邻，并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径，以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于半导体晶片的上表面，将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。
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